0.1nm！央视宣布好消息：EUV光刻机最后的一片拼图

EUV光刻机号可以说是人类工业史上的皇冠，其内部的零部件就达到了10万颗，背后还有5000多家供应商，所以说，单凭一个国家的 科技 水准，是很难制造出完整EUV光刻机的。

谈到光刻机就肯定避免不了芯片，当下芯片领域的发展一直是全球关注的重点，光刻机作为芯片制造的基础，一直是我国难以跨越的鸿沟，尤其是在高端光刻机方面，但是好在是EUV光刻机虽然难度大，哪怕是ASML公司也是集合各家所厂研发而成，这样一来，在一定程度上完成逐一突破便也有了可能。

说到这，就必须要提到EUV光刻机的三大核心组件：双工件台系统、EUV光源系统、EUV光学镜头

不过功夫不负有心人，我国在光刻机领域终有所进展

此前，关于双工作台组件，清华大学与北京华卓精科合作，已经实现了65nm工艺光刻机需求的双工件台样机。这一突破也表示，我们成功打破了ASML公司在双工件台上的技术垄断，实现了自主研发生产。

另外一个用于EUV光刻机设备的EUV光源，同样也是清华大学率先破局！

据“央视新闻联播”报道，由国家发改委立项支持、中科院高能物理研究院承建，国内首台高能同步辐射光源科研设备于2021年6月28日上午安装。与此同时，负责为这台光源设备提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台启动试运行

此外，中科科仪旗下的中科科美也传来佳讯，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置于2021年6月28日正式投入使用。央视新闻联播对此也做出报道。

正所谓好事成双，关于这两项重大突破，可能不少人还是一头雾水。笔者尽量简洁明了地概述一下。

其一，中科院的高能光源设备是全球最亮的光源之一，在实现设备安装之后，也让中国在光源技术上有了深厚的积累。对国产光刻机的意义也是十分重大的，如果用在高端光刻机上，解决光源问题，避免国外依赖，那么在国内自主光刻机产业中将取得更大的话语权。并且在此项设备建好并安装完成之后，将成为国内首台高能量辐射光源、全球亮度最高的第四代光源之一，为很多重要的科研领域提供了最基本的技术支撑。

这是中国首次研制出高能量同步辐射光源，也是全球亮度最高的第四代同步辐射光源之一。

而且为了提高光源的精度和质量，中科院还专门配套研究了一个真空镀膜设备，可以将光学镀膜的厚度降低到0.1nm以内，能达到什么程度呢？实现0.1nm（100皮米）以内的真空纳米镀膜，要知道ASML的EUV光刻机都是德国0.蔡司提供的光刻机镜头，而蔡司公司也只有20多个工程师达到该水准。

也就是说，中科院的光学镀膜水平已经达到了世界前列，再加上第四代辐射光源的支持，国内要不了多久就能全面攻克EUV光刻机。

写在最后

伴随国家对半导体行业的重视，国产厂商在半导体领域中实现了许多从无到有的突破。照此趋势下去，相信我们距离实现先进制程芯片自主化生产的目标已经不远了。祝愿国产半导体厂商能够愈发强大，早日解决半导体核心技术卡脖子的问题，在半导体领域中所向披靡。

有志者，事竟成，相信随着中国科学家，科研人员的不断研究，还会取得更多项技术的攻克。

光刻机只是生产芯片的一部分设备，虽然实现了这部分某些技术领域的突破，但要想打通全产业链的自给自足，仍需要努力前行。美国的光源技术，德国的光学系统都处于世界顶尖水准。

但不管有多大的困难，中国都不会放弃自研，国产光刻机一定能迎来最终的崛起。

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