半导体臭氧发生器需要用到二氧化碳吗 ccr • 2023-4-7 • 技术 • 阅读 34 需要。半导体臭氧发生器需要用到二氧化碳,臭氧发生器是用于制取臭氧气体的装置,传统的臭氧发生器安全性能不够,且容易损坏,导致其使用寿命短,损坏的主要原因是对臭氧管的冷却力度不够,且损坏后不便于进行更换。氮气是保护气体,防止工艺过程中发生氧化,主要是在合金烧结时或者高温导热胶固化时应用,氢气有还原性,可以使氧化层还原,但是氢气有一定危险性,我知道用得较多的是氮氢混合气体,这样安全些,二氧化碳,这个不了解压缩空气,主要是用在工艺过程中,比如工作台的吸附,一些设备必须有压空才能工作。了解得不多,希望有帮助做Si集成电路的fab里,你列举的这些都用的到。硅烷和笑气,长氧化硅时候用。HCL:清洗wafer的时候用。CF4:蚀刻Si和氧化硅的时候用。SF6:蚀刻Si的时候用。其他还有BCl3, Cl2, Ar差不多都是蚀刻的使用。 欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/7595903.html 氧化 臭氧发生器 损坏 气体 氢气 赞 (0) 打赏 微信扫一扫 支付宝扫一扫 ccr 一级用户组 0 0 生成海报 TEC是什么意思 上一篇 2023-04-07 半导体科研项目有哪些 下一篇 2023-04-07 发表评论 请登录后评论... 登录后才能评论 提交 评论列表(0条)
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