生产半导体用化工原料检验标准

在半导体工艺中，硫酸常用于去除光刻胶和配制洗液等。清洗中主要利用其强酸性、氧化性来解脱吸附在硅片表面的金属和无机物。浓硫酸不仅能与金属活动表中氢以前的金属作用，而且在加热条件下还能与金属活动表中氢以后的金属铜、汞、银等金属发生氧化还原反应。

如果有还原性物质，硫酸的氧化性就会下降，清洗不彻底吧

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

半导体厂房对玻璃胶的要求：

密封嵌缝材料应选择不含刺激性挥发物、耐老化、抗腐蚀的中心材料，用于表面的应加入抑菌剂。有防霉要求的场合不应用玻璃胶、硅胶类密封胶，应用中性密封胶，并应在密封胶中加入抑菌剂，涉及半导体或有耐碱要求的场合不应用硅密封胶，应避免密封胶对高风险洁净室造成污染。

半导体厂房净化等级标准

半导体器件生产环境按单位体积中规定的尘埃粒子数标准分成洁净度的等级。一般分为：10级、100级、1000级、10000级、100000级，国际标准IOS14644-1、国标GB50073-2013。

美联邦标准中均有规定洁净室和洁净区内空气以大于或等于被考虑粒径的粒子最大浓度限值进行划分的等级标准。

半导体净化车间洁净度等级标准及要求半导体特性决定其制造过程必须有洁净度要求，环境中杂质对半导体的特性有着改变或破坏其性能的作用，而杂质各式各样，如金属离子会破坏半导体器件的导电性能等，所以在半导体器件生产过程中对什么都须严格控制

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