对俄罗斯电子工业的评价,网上有两种截然相反的观点。一种观点说俄罗斯的电子工业处于世界领先水平,连美国都不能望其项背。 也有一种观点说俄罗斯电子工业落后,说俄军事装备不仅比西方的差,而且也不如中国的。其实,网上好多观点都是人云亦云,很难见到纯专业角度的观点,甚至好多观点是带着感情色彩。
因为在网上只要一谈到俄罗斯,网友就会撕裂,要么俄罗斯坏透了,一无是处。要么俄罗斯好得不得了,完美无缺。可我们既然是分析产品的,不能爱屋及乌,也不能因为讨厌他就抛弃客观立场。平心而论,俄罗斯民用产品真不怎么样,一说到俄罗斯产品,马上就会想到嘎斯车,想到傻大黑粗。不信你看我们用的电视机、冰箱、洗衣机和手机,哪一样是俄国造?中国好多民用产品比俄罗斯好了不知道多少。
但电子技术和军工技术跟家电不能相提并论,一码归一码。俄罗斯的民用电子领域确实要弱些,但压低俄罗斯这方面的能力也有悖常识。比如,俄罗斯微电子产品出口商“埃格斯特朗”公司和“Mikron ”公司,均是东欧此领域的最大企业,其大部分产品出口国外。要不然印度、叙利亚、伊朗和中国也不会大把大把往俄罗斯砸钱,引进他们的设备。在消费电子领域取得的成绩,不会自动生成军事产品能力。比如韩国和台湾地区都是大型民用电子产品生产国,但同时却在进口军事电子工业产品。
另外,决定武器系统能力的最重要因素,与其说是电子组件的质量,还不如说是软件的质量。而俄罗斯在此方面,还是相当强悍的。俄罗斯是有效作战雷达和电子战系统的研发者和生产者。这些产品,不仅获得国际市场的认可,同时在实战中也得到了认证。俄罗斯电子战装备破坏通讯、中断全球定位系统和无人机控制方面的能力,已在叙利亚打击恐怖分子过程中多次试用,获得全方位的赞誉。如果说,俄罗斯真的落后很多年,电子器件不好用,那么,俄罗斯就不会成为电子战系统、“空对空导d”和反导系统的大出口商。
最近一些年里,在近东地区,俄产电子战系统和反导系统摧毁了大量的无人机,击落过很多有控和无控导d。这些都证明,俄罗斯武器拥有先进的水平和相当优秀的实际效果。所以说,我们不能笼统地说俄罗斯的电子工业比较落后,其实俄罗斯在电子管、晶体管、模拟电路等领域还是具有相当水准的造诣,甚至在某些领域处于领先水平。
但凡事都要一分为二看,俄罗斯也有短板。在微电子技术特别是数字化集成电路以及半导体材料等方面,俄罗斯跟处于领先水平的美国比就稍逊一筹,甚至连二流水平都算不上。雷达技术并不是俄罗斯的传统强项,早在苏联时代,各种海陆空天的雷达系统就是苏式武器的主要短板之一。比起西方国家的同类产品,一方面是体积结构笨重庞大,另一方面是性能指标注水严重,纸面上看起来很好很强大,实际用起来很垃圾。
例如苏27战斗机装备的N001型雷达,在80年代中期服役,采用的还是已经过时的倒置卡塞格伦天线,全系统总重量接近1吨,对战斗机级别的空中目标探测距离只有100公里。 要知道同时期服役的美军F15C战斗机已经拥有了领先一代的APG63型平板缝隙天线雷达,在总重量还不到N001型雷达三分之一的情况下,对战斗机级别的空中目标探测距离高达140公里,探测精度和可靠性更是有质的飞跃。
同样的案例还有预警机,俄罗斯的A50预警机技术性能也远远落后于美国的E3、E2预警机,甚至就连印度、伊拉克这样的第三世界国家都看不上。 他们宁可先从俄罗斯购买伊尔76,再大费周折地加装其他国家研制的雷达,也不愿意直接进口A50预警机。
我国曾计划从以色列引进预警机,因为美国从中作梗而被迫夭折;但我们宁可自己研制,也丝毫不考虑俄罗斯的A50。以至于作为世界数一数二军售大国的俄罗斯至今仍然保持着预警机出口的零记录。
当年牛气哄哄的苏联都尚且没有把雷达折腾出什么名堂,如今元气大伤的俄罗斯要想在雷达领域后来居上更是痴人说梦。
但其实雷达技术还不是俄罗斯最落后的技术,俄罗斯最大的短板,就是它的动能拦截技术。俄罗斯直到现在还搞不定高精度的动能拦截器,这正是电子工业的落后拖了后腿。
俄罗斯的动能反导水平真的不敢恭维。更别说跟世界顶级水平相提并论,所谓的A135战略反导拦截系统其实是使用核d头在自家头顶上摧毁来袭导d,这种“自杀式拦截”的做法不愧是战斗民族的风格。
现在不仅是美国,连中国都放弃了这种简单粗暴的反导方式,改为更加先进高效的中段反导技术。俄罗斯至今在该领域原地踏步,至今没有什么建树。 实事求是地说,俄罗斯在雷达和反导系统领域离“先进”这个目标还相距甚远。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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