1、成分:硅胶,矽,HCl。
2、作用:太阳能电池板、高纯的单晶硅是重要的半导体材料、光导纤维通信、硅可以提高植物茎秆的硬度,增加害虫取食和消化的难度。
经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂中,从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点(主要由碳和氢等元素构成的化合物),通过使用一些无机溶剂(如硫酸和双氧水等),将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳,这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过,由于无机熔液会腐蚀AL,因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例,硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应,生成的气态的CO,CO2和H2O可以由真空系统抽走,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题,因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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