重庆平创半导体研究院有限责任公司成立于2019年11月13日,法定代表人:陈显平,注册资本:9,600.0元,地址位于重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)。
公司经营状况:
重庆平创半导体研究院有限责任公司目前处于开业状态,公司拥有10项知识产权,目前在招岗位9个,招投标项目1项。
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第四届“中国杰出青年科技创新奖”获奖者名单:(共10名,按姓氏笔划为序)
于康震中国农业科学院哈尔滨兽医研究所副所长、研究员
张 建 国家煤炭工业局总医院副院长、主任医师
陈顺利和顺(中国)实业集团有限公司董事长兼总经理、高级经济师
陈自森 浙江龙游混凝土外加剂厂厂长、工程师
汪群斌上海复星实业股份有限公司总经理、工程师
周厚健海信集团公司总裁、党委书记、高级工程师
徐少春深圳金蝶软件科技有限公司董事长兼总裁、高级经济师
聂 红(女)中国石油化工集团公司石油化工科学研究院第十五研究室主任、高级工程师
常 青 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心副主任、教授级高级工程师
曹建国中国航天机电集团公司三院副院长、研究员
第四届“中国杰出青年科技创新奖”获奖者名单:(共100名,排名不分先后)
杨义先北京邮电大学信息安全中心主任教授
柳军飞中国科学院软件研究所中科软件有限公司总裁研究员
王常力北京和利时系统工程股份有限公司总经理兼副董事长高级工程师
王莘北京瑞星电脑科技开发有限责任公司董事长工程师
张伟力天津大学精仪学院教授
罗萍(女)信息产业部电子十八研究所高级工程师
柴宝成天津宝成集团有限公司总裁高级经济师
孔祥东燕山大学机械工程学院院长教授
郝玉山保定市三川电气有限责任公司董事长教授
刘金铜中国科学院石家庄农业现代化所研究员
杜文广山西太工天成科技实业有限公司董事长兼总经理高级工程师
郭金刚山西潞安矿务局王庄煤矿矿长高级工程师
赵宝荣中国兵器工业第五二研究所所长高级工程师
博格日勒图内蒙古大学高分子研究所教授
陈军沈阳市邮政通信科学研究所所长高级工程师
于国宏深圳辽河通达化工股份有限公司总经理工程师
邵春杰长春海王生物制药有限责任公司教授
张学军中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员
张伟汉中国兵器工业第五五研究所副所长高级工程师
杜晓光大兴安岭林业集团公司材料所总工程师高级工程师
马 军哈尔滨建筑大学市政环境工程学院教授
宋殿权哈尔滨光宇集团董事长、总经理高级工程师
蔡友铭上海市花卉良种试验场场长高级工程师
张文军上海交通大学电子信息学院副院长教授
龚剑上海市第一建筑有限公司副总工程师高级工程师
许建峰信息产业部电子第十四研究所机载雷达研究部副部长高级工程师
徐建荣苏州精细化工集团有限公司董事长兼总经理工程师
顾全荣南京大学化学化工学院副教授
陈夏鑫杭州西子奥的斯电梯有限公司总裁经济师
夏崇耀宁波东方集团公司总裁经济师
戴杨数源科技股份有限公司总工程师工程师
徐峰合肥美菱股份有限公司技术中心副主任高级工程师
王家捷安徽省计算中心副主任工程师
陈梅生福州梅生医用设备有限公司董事长兼总经理工程师
彭小英(女)江西草珊瑚集团公司党委书记、董事长、总经理高级工程师
陈苏江西南昌先锋实业有限公司总经理
江风益江西省南昌大学材料科学研究所所长教授
冯久田山东鲁北企业集团总公司副董事长、总经理高级工程师
韩明涛山东工业大学大工实业公司总经理兼总工程师讲师
鲁轶亚太会计集团董事长、总裁研究员
孙自学河南省中医院副教授
苏竣丰郑州苏竣丰药业有限公司董事长
黄培华工科技产业股份公司监事、开目分公司总经理
黄支金铁道部大桥工程局副总工程师高级工程师
詹明生中科院武汉物理与数学所常务副所长研究员
熊翔中南工业大学粉末冶金研究所副所长教授
莫继红湖南计算技术研究所副所长副研究员
钟志华湖南大学机械与汽车工程学院教授
陈健雄广东省中山食品进出口公司白石猪场总场厂长畜牧兽医师
张树武深圳市桑夏计算机与人工智能开发有限公司董事长兼总经理高级工程师
严金波深圳市特种证件制作所所长高级工程师
苏家红柳州华锡集团有限公司副总经理高级工程师
唐骞广西平果铝业公司电解铝厂副厂长高级工程师
吕传柱海南省海口市人民医院副院长副主任医师
郝明重庆高技术创业中心主任兼书记教授级高级工程师
刘勇中国航天科技集团公司重庆巴山仪器厂总工程师研究员
王智彪重庆医科大学医学超声工程研究所副所长教授
李玉宝四川大学分析测试中心副主任教授
魏晓峰中科院核物理与化学研究所激光技术工程部副主任研究员
何浚治四川天祥骨科医院业务院长主任医师
宋如华四川托普集团董事局主席兼首席执行官副教授
宋宝安贵州大学精细化工研究中心主任研究员
李良云南大学生化学院教授
唐川云南省地理研究所所长研究员
尼玛扎西西藏自治区农牧科学院科技合作交流培训处副处长助理研究员
弓亚斌西安同维科技发展有限责任公司总经理高级工程师
尚勇西安庆安制冷设备股份有限公司总经理高级工程师
苟彪铁一局五处秦岭工程公司总工程师高级工程师
王联盟兰州好为尔乳品有限公司董事长兼总经理高级经济师
刘维民中科院兰州化物所固体润滑国家重点实验室副主任研究员
王舰青海省农林科学院生物技术研究中心主任副研究员
郭少锋宁夏大坝发电厂厂长教授级高级工程师
杨明建新疆维吾尔自治区棉麻公司总工高级工程师
帕拉提·阿布都卡迪尔新疆工学院资源与环境工程系系主任教授
李保成新疆石河子农科中心副主任副研究员
曾维政成都军区总医院消化内科副主任医师副教授
张嘉保解放军军需大学动物科技系教授
陈华清海军装备论证研究中心舰船所动机室副主任高级工程师
郁文贤国防科技大学电子工程学院总工教授
李玉明武警医学院内科教研室讲师
白万成武警黄金地质研究所副所长兼总工高级工程师
张 铎北京铁路通信信号研究设计院研究室主任高级工程师
祝 震齐齐哈尔铁路车辆(集团)有限责任公司设计处货车设计组组长高级工程师
杨旭中国东方航空股份有限公司飞机维修基地总经理高级工程师
吴国华中国国际航空公司计算机中心高级工程师
于传斌中办机要研究所技术处处长高级工程师
方勇北京电子科技学院三系副主任教授
曾庆军广电总局网络中心网络研究所所长工程师
朱宇江中青创业(集团)有限公司总裁兼首席执行官
李晓红中航第一集团公司北京航空材料研究院副总工程师研究员
夏建中中国兵器工业系统工程研究所副所长高级工程师
黄业茹(女)国家环保总局中日友好环境保护中心研究室主任副研究员
严庆中科院化学研究所副所长研究员
孙彦广冶金工业部自动化院智控事业部总经理高级工程师
沈政昌北京矿冶研究总院设备研究所浮选室主任教授
沈顺高中国航空工业规划设计研究院副院长兼总工程师研究员
汤广福中国电力科学研究院输配电及节电技术国家工程研究中心总工程师高级工程师
贾大山交通部水运科学研究所运输管理工程咨询部主任副研究员
陈益民中国建筑材料科学研究院教授级高级工程师
杨银付教育部教育发展研究中心未来室副主任副研究员
日前,华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野,引起业界重点关注。
事实上,随着半导体技术不断进步,对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求,碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能,早已成为当前世界各国竞相布局的焦点,我国在加速发展集成电路产业的同时,把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来,将推动半导体材料实现革命性变化。其中,氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域,其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临,我国目前有哪些企业在布局?下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体 科技 有限公司
东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京有大型研发中心,为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示,中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。2018年2月,中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体 科技 有限公司
东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年,是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。
苏州纳维 科技 有限公司
苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年,致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍,目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用,正在提升产能向企业应用市场发展,重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体 科技 (上海)有限公司
镓特半导体 科技 (上海)有限公司成立于2015年4月,主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长,以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备,并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示,借助自主研发的HVPE设备,镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示,未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地,以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用,并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化。2013年8月,晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片;2014年底,晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称,截至目前,晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月,专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场,聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月,聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,经过多年发展,世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域,世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通,氮化镓方面,官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体(重庆)有限公司
聚力成半导体(重庆)有限公司成立于2018年9月,是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月,重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约,拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月,聚力成半导体(重庆)有限公司举行奠基仪式,项目正式开工。该项目占地500亩,计划投资50亿元,将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日,该项目一期厂房正式启用,预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯 科技 有限公司
成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年,是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,2015年1月,海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权,并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东,从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示,海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光电下属子公司,基于氮化镓和砷化镓技术经营业务,是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂,服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩,总投资额30亿元,规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示,三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业,亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业,其聚焦于模拟与功率半导体等领域,业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件,目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家,为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月,华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司(后更名为“华润微电子(重庆)有限公司”)的收购,重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产,并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线,具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年,专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造,2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线,现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业。
近年来,士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年,士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月,士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工,其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元,定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年,致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化,为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术,目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓(GaN)电子器件工厂,厂区占地55亩,累计投资10亿元。
江苏能华微电子 科技 发展有限公司
江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月,是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年,能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司成立于2015年12月,该公司采用IDM 全产业链模式,致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线,主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月,总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工,今年8月30日项目主厂房封顶,预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品,将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠 科技 有限公司
大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月,该公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。
官网介绍称,芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月,注册资本为2亿元人民币,一期投入10亿元人民币。官网介绍称,目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示,华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品,并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造,提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
关于集邦咨询(TrendForce)
集邦咨询(TrendForce)是一家横跨存储、集成电路与半导体、光电显示、LED、新能源、智能终端、5G与通讯网络、 汽车 电子和人工智能等领域的全球高 科技 产业研究机构。公司在行业研究、政府产业发展规划、项目评估与可行性分析、企业咨询与战略规划、媒体营销等方面积累了多年的丰富经验,是政企客户在高 科技 领域进行产业分析、规划评估、顾问咨询、品牌宣传的最佳合作伙伴。
研究报告咨询: 0755-82838930-2101
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