半导体器件有哪些分类？

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类： \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用：\x0d\x0a①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）\x0d\x0a②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）\x0d\x0a③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）\x0d\x0aC、定压二极管（齐纳二极管）\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管） \x0d\x0a③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）\x0d\x0a②光电晶体管（Photo Transistor）\x0d\x0a③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）\x0d\x0a④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器（photo Relay)\x0d\x0a②光断路器（photo Interrupter）\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器（Micro Processor）\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）\x0d\x0a①栅陈列（Gate-Array Device）\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）\x0d\x0a6、系统LSI（System LSI）\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器（OP具Amp）\x0d\x0a3、AD、DA转换器（AD DA Converter）\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

《科创板日报》（上海，编辑 宋子乔）讯， 科幻片《上载新生》（upload）中，男主将自己的记忆、思想、感受等一切意识内容上传到数字神经网络，在虚拟世界实现了“数字永生”。现实中，科学家们也设想创造出类似人脑神经元网络的数字神经网络。

1月13日，三星发布了全球首款基于MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算芯片。这款芯片由三星高级技术研究院（SAIT）与三星电子代工业务和半导体研发中心一起开发。

内存计算芯片又被称为“类人脑芯片”或“类脑芯片”。 在标准计算机架构中，数据存储在内存芯片中，数据计算在单独的处理器芯片中执行，而这款芯片集数据存储和计算功能于一体，功能类似人脑，甚至可以进行简单推理。

三星的研究团队称，该芯片在书写、数字分类方面的准确率达到了98%，人脸检测方面的准确率达到了93%， 不仅可以用于内存计算，还可以作为下载生物神经网络的平台。

该团队在去年9月26日宣布，其研究人员和哈佛大学教授联合提出了一种将大脑神经元连接图“复制、粘贴”到高密度3D存储网络上的可能。彼时研究人员表示,如果研究成功，可以创建一种接近大脑的存储芯片，通过将大脑神经“复制”到芯片，不仅能够做到内存计算，还将做到像人类大脑那样“思考”，做到低功耗、轻松学习的同时，也能够具备自主性和认知能力。

MRAM芯片正是这一宏大计划的第一步。该研究的第一作者Seung chul Jung博士说，“虽然我们的MRAM芯片目前执行的计算与大脑执行的计算仍有差距，但这种固态存储网络将来可能会被用作模拟大脑的平台。”

值得注意的是，这款芯片的意义还在于“可量产”。 RRAM（电阻式存储器）和PRAM（相变存储器等非易失性存储器已被用于开发类人脑芯片，但两者都无法被大规模生产。三星的研究团队通过改进MRAM的架构，将已经达到商业生产规模的MRAM引入内存计算领域，大大提高了量产类人脑芯片的可能性。

据了解，三星早在2019年开始量产28nm嵌入式MRAM，同年英特尔宣布其MRAM已经准备好大规模量产，消息称IBM的STT-MRAM技术已经接近突破点，代工方面，台积电、格芯、意法半导体、恩智浦、联电等都可以提供MRAM模块代工。

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