压印机是用来干什么的

压印机也就是印刷机，用来印刷文字和图像的机器。现代印刷机一般由装版、涂墨、压印、输纸（包括折叠）等机构组成。

工作原理是：先将要印刷的文字和图像制成印版，装在印刷机上，然后由人工或印刷机把墨涂敷于印版上有文字和图像的地方，再直接或间接地转印到纸或其他承印物（如纺织品、金属板、塑胶、皮革、木板、玻璃和陶瓷）上，从而复制出与印版相同的印刷品。

扩展资料：

使用注意事项：

1、保证领机负责监督机器设备和机组 *** 作人员安全。

2、作业前，作业人员必须将工作服、工作帽、工作鞋穿戴整齐，扣紧衣襟和袖口，衣袋内不装容易掉出杂物，不戴手表及各种饰物。

3、开机前，应向机器的各注油点、润滑点和 油箱内加入所需润滑油（润滑脂)。

4、未经批准，非本机组人员不得擅自启动、 *** 作机器，助手和学徒应在领机的指导下工作。

5、机器启动前，应检查机身各部位是否有杂物，必须先给信号（按安全铃），前后呼应，确定机器周围安全方可开机。

6、机器运转前，先反点数周，再正点数周，以免滚筒之间有杂物破坏橡皮布、印版等。

7、机器运转中，严禁用手接触运动工作面，不准维修和擦拭机器，不准跨越转动部位，要保持机器防护装置完备。

离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。………离子注入具有如下的特点①可以在较低温度下（400℃）进行，避免高温处理。②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深，更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制。③可选出一种元素进行注入，避免混入其他杂质。④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％，且横向掺杂比扩散小的多。⑤控制离子束的扫描区域，可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。…………离子注入技术应用领域2．1 离子注入应用于金属材料改性离子注入应用于金属材料改性，是在经过热处理或表面镀膜工艺的金属材料上，注入一定剂量和能量的离子到金属材料表面，改变材料表层的化学成份、物理结构和相态，从而改变材料的力学性能、化学性能和物理性能。具体地说，离子注入能改变材料的声学、光学和超导性能，提高材料的工作硬度、耐磨损性、抗腐蚀性和抗氧化性，最终延长材料工作寿命。离子注入提高工模具的耐磨性能、金属样品的抗疲劳性以及金属表面耐腐蚀性2 离子注入机应用于掺杂工艺在半导体工艺技术中，离子注入具有高精度的剂量均匀性和重复性，可以获得理想的掺杂浓度和集成度，使电路的集成、速度、成品率和寿命大为提高，成本及功耗降低。这一点不同于化学气相淀积，化学气相淀积要想获得理想的参数，如膜厚和密度，需要调整设备设定参数，如温度和气流速率，是一个复杂过程。上个世纪70年代要处理简单一个的ｎ型金属氧化物半导体可能只需6～8次注入，而现代嵌入记忆功能的CMOS集成电路可能需要注入达35次。技术应用需要剂量和能量跨越几个等级，多数注入情况为：每个盒子的边界接近，个别工艺因设计差异有所变化。随着能量降低，离子剂量通常也会下降。具备经济产出的最高离子注入剂量是1016/cm2，相当于20个原子层。3 在SOI技术中的应用由于SOI技术（Silicon-on-Insulation）在亚微米ULSI低压低功耗电路和抗辐照电路等方面日益成熟的应用，人们对SOI制备技术进行了广泛探索。1966年Watanabe和Tooi首先报道通过O＋注入形成SILF表面的Si氧化物来进行器件间的绝缘隔离的可能性。1978年，NTT报道用这项技术研制出高速、低功耗的CMOS链振荡电路后，这种注O＋技术成为众人注目的新技术。从而注氧隔离技术即SIMOX就成了众多SOI制备技术中最有前途的大规模集成电路生产技术。1983年ＮＴＴ成功运用了SIMOX技术大批生产了COMSBSH集成电路；1986年ＮＴＴ还研制了抗辐射器件。这一切，使得NTT联合EATON公司共同开发了强流氧离子注入机（束流达100mA），之后EATON公司生产了一系列NV－200超强流氧离子注入机，后来Ibis公司也研制了Ibis－1000超强流氧离子注入。从此SIMOX技术进入了大规模生产年代。到了上世纪90年代后期，人们在对SIMOX材料的广泛应用进行研究的同时，也发现了注氧形成的SOI材料存在一些难以克服的缺点，如硅岛、缺陷，顶部硅层和氧化层的厚度不均匀等，从而导致了人们开始着眼于注氢和硅片键合技术相结合的智能剥离技术即SMART CUT技术的研制，上世纪90年代末期，H＋离子注入成了新的热门话题。目前虽无专门的H＋离子注入机，但随着SMART CUT工艺日趋成熟，不久将会出现专门的H＋离子注入机。除了半导体生产行业外，离子注入技术也广泛应用于金属、陶瓷、玻璃、复合物、聚合物、矿物以及植物种子改良上。

1. 用电子束（E-beam Lithography），好处是精度极高，目前实验室级别的E-beam最小可以写到1纳米，不需要Mask。但是因为精度高，所以写片子的时候速度会很慢。。

2. Micro-printing（类似于刻字印刷那种样子~），不是太了解，实验室不怎么用这个，精度貌似不是很好

3. 激光（Laser Lithography），好处是不需要Mask，直接往Resist上写，因为精度不如e-beam好，所以pattern都比较大，因此速度快。

-------------------------------------------------------------------------

我当你说的光刻半导体工艺是传统用紫外灯做的Photo-Lithography了哈~

4. 传统光刻（Photo-lithography），这个其实速度也是很快的，实际的曝光时间只有几秒甚至更少。一般对精度要求不高的片子我们都用这个写。唯一缺点是每一个新的设计都要重新做一个Mask。

---