这个是很好解释的,有些材料有
半导体这个特性,是在一定
温度,湿度等一些列条件下才具有的特性。当温度升高时,材料内部的分子机构有可能改变,也导致半导体特性减小或者消失。所以一般有其极限工作温度。不同的半导体所承受的最高温度是不同的,如锗为85℃~100℃,而硅为150℃~200℃。虽然不同半导体都有不同的最高工作温度,但却不能让它们在高温条件下工作,这是因为半导体器件的性能会随温度的升高而下降。图30-3给出了一个大功率半导体三极管的最大耗散功率与外壳温度的关系曲线。当温度低于25℃时,最大耗散功率可达90W;当高于此温度后,最大耗散功率呈线性下降。因此,必须给大功率半导体三极管增加散热装置,改善散热条件,使其能正常工作。因为半导体器件
载流子浓度与温度有关,而载流子浓度与器件的导电特性直接相关,因而半导体器件都会有一定的工作温度区间,就是为了保证器件载流子浓度保持在一定的范围内。
为什么要设定工作温度范围呢?
因为温度的高低会决定本征载流子浓度,从而影响我们掺杂带来的载流子浓度。
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