和DFB-LD一样,DBR-LD也需要使用外调制器才能满足长距离传输的需要。1999年,法国France Telecom公司报道了他们制作的DBR-LD/EA调制器集成光源[9]。它由一个两段DBR-LD与一个EA调制器构成,并采用相同的应变补偿InGaAsP多量子阱层作为DBR-LD的有源区和Bragg光栅区以及EA调制器的吸收层。通过改变Bragg光栅区的注入电流,其输出波长可以覆盖12个信道,共5.2 nm的波长调谐范围。同时,该集成器件的调制带宽达到15 GHz,可以应用于10 Gbit/s通信系统。
由于DBR-LD是通过改变光栅区的注入电流实现调谐的,这导致了较大的谱线展宽。另外DBR-LD需要调节至少两个以上电极的电流,才能将激射波长固定下来,不利于实际应用,而且DBR-LD纵模的模式稳定性相对较差,极易出现跳模现象,所以近年来有关波长可调谐DBR-LD的研究活动有所减弱。而由于DFB-LD的激射波长相对稳定,人们就将多个波长不同的DFB-LD集成起来,组成波长可选择光源。2000年,日本NEC公司报道了他们制作的波长可选择集成光源[10]。光源含有8个具有不同输出波长的DFB-LD,并采用一个EA调制器对输出光信号进行调制。光源中还集成有一个多模干涉型(MMI)耦合器与一个半导体光放大器(SOA),用来对8个激光器的输出光进行耦合并对损耗进行补偿。该器件采用介质膜选择性区域外延进行制作,可以作为2.5 Gbit/s DWDM光纤网络的光源,能够有效地提高系统的灵活性与可靠性。但是这种光源需要在同一衬底上制作不同激射波长的DFB-LD,其无论对材料的外延生长工艺还是对器件的后加工工艺,都有非常高的要求。
你好,根据半导体激光器的发光机理,半导体激光器的输出波长与注入电流有密切关系,以DBR半导体激光器为例,注入电流的改变能实现对激光器内部布拉格光栅有效折射率的改变,从而改变输出波长,还有热调谐,通过温度控制改变内部介质折射率,进而改变波长。希望帮到你,感谢采纳,继续为你解答!欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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