集成光电子学国家重点实验室 由清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所联合组建,实验室于1987年由国家计委批准筹建,1990年底建成,1991年1月通过国家有关部门的验收后正式对外开放。通过二十年来的建设和发展,实验室设备条件初具规模,各种材料生长和表征设备基本上能够满足实验室科研工作的要求,实验室已成为集成光电子材料、器件及其在光纤通信网络中应用技术等领域的国内主要研究基地。集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区重点研究基于半导体光电子材料和微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件,研究上述器件在光纤通信系统与网络、光信息处理与显示、光传感技术、太阳能及固态照明、以及关系国家安全领域中的应用技术及其系统技术。
中科院半导体研究所每年招生人数63人。中国科学院半导体研究所于1960年成立,是中国国务院直属事业单位,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。[1]
研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。[2]
据2016年9月研究所官网显示,研究所拥有14个科研机构,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室;拥有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,包括5个二级学科博士培养点;拥有5个二级学科硕士培养点,3个专业学位硕士培养点;共有职工690余名,在学研究生近600名。[2]2019年,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构,成功实现了2μm波段高性能单模激光器,综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
短时间致盲应该是5微瓦。 不是所有的波长都可以致盲的,不同波段造成不同的伤害。如下:180-315纳米(紫外线-B,UV-C),角膜炎(角膜发炎,相当于晒伤)
315-400纳米(紫外线A)的光化学白内障(眼球晶状体混浊)
400-780纳米(可见)光化学损伤视网膜,视网膜烧伤
780-1400海里(近红外),白内障,视网膜烧伤
1.4-3.0μm(IR)水耀斑(房水蛋白),白内障,角膜烧伤
3.0微米1毫米的角膜烧伤
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