平带电位(Flat band voltage)就是在MOS系统中,使半导体表面能带拉平(呈平带状态)所需要外加的电压时的电位。
用来表征:平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量:电化学方法:在三电极体系下,使用入射光激发半导体电极,并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候,光生电子不能够进入外电路,也就是说不会产生光电流。
相反,当施加的电位比平带电位偏正的时候,光生电子则能偶进入外电路,进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
扩展资料:
平带电压计算
平带电压可分为两部分相加,Vfb=Vfb1+Vfb2,Vfb1用来抵消功函数差的影响,Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1)Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf;
对于多晶硅栅,高掺杂的情况下,φg≈0.56V,+用于p型栅,-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2)Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用,Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容,可用ε0/dox求得。
总结起来,Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
参考资料来源:百度百科-平带电位
flat-band potential[词典]平带电位
[例句]The flat-band potential(φ_ FB) is significantly influenced by the pH value of the solution, they have a linear relationship with a slope of 60.43.
溶液pH值的改变可以显著影响膜的平带电位EFB,两者间呈线性关系,拟和斜率为60.43。
重要意义:有了平带电位,就可以知道半导体的费米能级相对于参考电极的位置,以及半导体的导带位置(平带电位稍微低于导带),有助于分析电解液的光电转换反应。xxbis09(站内联系TA)flat-band potential平带电势ljjwmsj(站内联系TA)是平带电压的意思。在测Mott-Schottky时,根据所测得曲线可以得到平带电压和载流子浓度(掺杂浓度)nanotio2(站内联系TA)费米能级
对于体相的半导体材料而言,我们可以通过Mott-Schottly公式推算,进行简化戳通过作图大体上计算出其平带电位,但是对于纳米级别的半导体材料则主要是通过仪器的直接测定。
电化学方法:在三电极体系下,使用入射光激发半导体电极,并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候,光生电子不能够进入外电路,也就是说不会产生光电流。相反,当施加的电位比平带电位偏正的时候,光生电子则能偶进入外电路,进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
光谱电化学方法:该方法同样是在三电极体系下,对半导体纳米晶施加不同的电位,测量其在固定波长下吸光度的变化。基本的原理与电化学方法大体相同。当电极电位比平带电位正时,吸光度不发生变化;偏负时则急剧上升。因为,吸光度开始急剧上升的电位即为纳米半导体的平带电位。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)