半导体可饱和吸收镜的基本结构

半导体可饱和吸收镜（SESAM）的基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起。底层一般为半导体反射镜，其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜，这样上下两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔，通过改变吸收体的厚度以及两 反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。

一般来说半导体的吸收有两个特征弛豫时间，带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间和带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间。带内热平衡弛豫时间很短，在100-200 fs左右，而带间跃迁弛豫时间则相对较长，从几ps到几百ps。带内热平衡弛豫时间基本上无法控制，而带间跃迁弛豫时间主要取决于半导体生长时衬底的温 度，生长时的温度越低，带间跃迁弛豫时间越短。在SESAM锁模过程中，响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组) 提供了锁模的自启动机制，而响应时间很短的带内热平衡可以有效压缩脉宽、维持锁模。

saturation意思是：饱和。

saturation名词饱和度（达到）饱和状态；浸透；浸润；饱和剂。

saturation造句

1、Saturation fluence and modulation depth are key parameters of SESAM.

饱和通量，调制深度等是半导体可饱和吸收镜的重要参数。

2、Drop the saturation to about-77.

降低饱和度到大概-77。

3、Japanese car makers have been equally blind to the saturation of their markets at home and abroad.

日本的汽车制造商对国内外市场的饱和同样视而不见。

4、A Correction of Saturation Data Obtained From Sealed Core Analysis.

密闭取心井岩石饱和度测量数据校正方法。

5、Stress sensitivity has relationship with water saturation of reservoirs.

低渗透气藏岩心的孔隙度随有效压力的增大呈指数关系递减。

6、I play around with the saturation until I get a pleasing result.

我调整了一下饱和度来达到令自己满意的效果。

7、Saturation and aromatics affect the ductility of asphalt at low temperature.

饱和烃和芳香烃影响沥青的低温延度和粘结性。

8、Special saturation magnetization increases gradually with the increase of annealing temperature.

比饱和磁化强度随退火温度的升高逐渐增大。

9、But there are concerns that the Banks may eventually reach saturation point.

但是银行最终会达到饱和状态的担心依然存在。

10、Light compensation point,saturation point and CO2 compensation point were also determined.

还测定了光补偿点，光饱和点和CO2补偿点。

11、Then I placed the rendered image on top and tweaked a bit levels,saturation and color balance.

然后，我把渲染图放在首层，然后改变了一点色阶，饱和度和色彩平衡。

12、This may have been due to the very high initial water saturation used.

这归咎于使用了很高的初始水饱和度。

13、Suggest a new method of calculating residual oil saturation by means of pyrolytic parameters.

提出了用热解参数计算残余油饱和度的新方法。

14、The Effect of Reservoir Characteristics on Archie Saturation Index.

油藏储渗特性对阿尔奇饱和度指数的影响。

15、The catalyst exhibited higher HDS and HDN activity and good aromatics saturation performance.

该催化剂表现出较高的脱硫、脱氮活性及较好的芳烃饱和性能。

16、Saturation policing helps maintain order in the Federal District.

足够多的警力有助于维护联邦区的秩序。

问题一：调制深度的介绍 调制深度是指：在双边带调幅方式情况下，必须加以限制的峰值幅偏值。通常为已调波的最大振幅与最小振幅之差对载波最大振幅与最小振幅之和的比，用百分数表示。

问题二：PWM调制深度是什么 这类专指脉冲宽度的调制，一般其峰值不变，只是其每一个脉冲的开通和关断的时间比例可以从百分之1到百分之99，说其调制深度最大，假如从百分之30到百分之80就可以调制深度比较小。其调制度越大，脉冲串输出滤波后其线性电压变化也越大。在直流电机调速系统的应用正是借用这一特性。

问题三：svpwm中的的调制系数是怎样定义的？ svpwm中的的调制系数定义：

调制度就是载波频率/调制频率，SPWM里调制波=正弦波，载波=三角波，需要调制的信号与固定幅值和载波频率相交，得出来的就是调试后的波形，面积等效于需要调试的信号。

如果调制比太小，调制后的信号很容易失真，波形很难正弦，我们电机控制的时候调制度为4的话，电流波形就畸变的比较厉害，有点像三角波。

公式：调制度=调制波幅值/载波幅值；一般SPWM里，调制波=正弦波，载波=三角波；输出幅度大小与调制度成正比。

问题四：有没有人是研究光纤激光器的，尤其是可饱和吸收体方面的调制深度怎么测量，希望能交流交流！ 先了解下锁模原理，还有什么是调制深度吧

可饱和吸收镜（SAM）其反射比R取决于材料的吸收率A即R=1-A。调制深度△R小于小信号吸收率A0，这是由于非饱和损耗所造成的 Ans：△R=A0-Ans。引起非饱和损耗的主要原因有晶体缺陷，这些缺陷可以保证超快的载流子恢复速度。调制深度会随着载流子弛豫时间τ的增加而增加。

屹持光电的SESAM调制深度△R典型值

快速饱和 τ~500 fs：△R~0.5 A0；Ans~0.5 A0

慢速饱和 τ~ 30 ps：△R~0.8 A0；Ans~0.2 A0

脉冲通量依赖的SAM的反射率R(F)，可以通过有效吸收率来控制。对于短脉冲和高脉冲能量，双光子吸收减少了反射以及有效调制深度。。。可以去google或百度搜索“半导体可饱和吸收镜工作原理”有一篇博文，说的比较详细。我直接复制过来的一段。

问题五：调制系数的介绍 在调制技术中，衡量调制深度的参数。在调幅（AM）技术中，调制系数指调制信号与载波信号幅度比，也称为调幅系数。

问题六：如果有调频以后的频谱，如何估算调制深度呢 外行连经验都没有，哪儿来的估算能力。本人意见以接受到之后解调效果，来确定调制深度比较好。

问题七：调制深度0%,为什么输出信号减半 这类专指脉冲宽度的调制，一般其峰值不变，只是其每一个脉冲的开通和关断的时间比例可以从百分之1到百分之99，说其调制深度最大，假如从百分之30到百分之80就可以调制深度比较校其调制度越大，脉冲串输出滤波后其线性电压变化也越大。

问题八：如何测试 14443 调制深度 ISO14443

IS014443A/B:超短距离智慧卡标准。这标准订出读取距离7-15厘米的短距离非接触智慧卡的功能及运作标准，使用的频率为13.56MHz。

IS014443定义了TYPE A, TYPE B两种类型协议，通信速率为106kbit/s，它们的不同主要在于载波的调制深度及位的编码方式。TYPE A采用开关键控(On-Off keying)的

Manchester编码，TYPE B采用NRZ-L的BPSK编码。TYPE B与TYPE A相比，具有传输能量不中断、速率更高、抗干扰能力强的优点。RFID的核心是防冲突技术，这也是和接触式IC卡的主要区别。IS014443-3规定了TYPEA和TYPE B的防冲突机制.二者防冲突机制的原理不同，前者是基于位冲突检测协议，而TYPE B通信系列命令序列完成防冲突.目前的第二代电子身份z采用的标准是IS014443 TYPE B协议。 ISO15693

IS015693 (ISO SC17lWG8):短距离智慧卡标准，这标准订出读取距离可高达一米

非接触智慧卡，使用的频率为13.56MHz,设计简单让生产读取器的成本比IS014443低，大都用来做进出控制、出勤考核等，现在很多企业使用的门禁卡大都使用这一类的标准。 IS015693采用轮寻机制、分时查询的方式完成防冲突机制。防冲突机制使得同时处于读写区内的多个标签的正确 *** 作成为可能，既方便了 *** 作，也提高了 *** 作的速度。 Iso10536，iso15693，iso14443的区别

ISO 10536标准主要发展于1992到1995年间，由于这种卡的成本高，与接触式IC卡相比优点很少，因此这种卡从未在市场上销售。

ISO 14443和ISO 15693标准在1995年开始 *** 作，单个系统于1999年进入市场，两项标准的完成则是在2000年之后。二者皆以13.56MHz交变信号为载波频率：ISO15693读写距离较远，当然这也与应用系统的天线形状和发射功率有关；而ISO 14443 读写距离稍近，但应用较广泛，目前的第二代电子身份z采用的标准是ISO 14443 TYPE B协议。 ISO14443定义了TYPE A、TYPE B两种类型协议。通信速率为106kbits/s，它们的不同主要在于载波的调制深度及位的编码方式。 从PCD向PICC传送信号时，TYPE A采用改进的Miller编码方式，调制深度为100%的ASK信号；TYPE B则采用NRZ编码方式，调制深度为10%的ASK信号。

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