Cu2O为什么是p型半导体

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。简单来说就是氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，因此Cu2O是P型半导体。

氧化亚铜晶体生长影响因素有光照、电流密度、电位时间、电解液的组成。根据查询相关资料信息显示：氧化亚铜是一种对环境友善的P型半导体材料，具有许多优异的性质，影响氧化亚铜晶体生长的因素有光照、电流密度、电位时间和电解液的组成等因素。

氧化铜是一种具有带隙较窄带隙(1.2—1.5eV)的p-型半导体材料。硅是目前使用最多的半导体材料，二氧化硅不是半导体。氧化铜和硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性

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