passivation层的作用

passivation层的作用是保护M2，防止其发生氧化。

passivation层材料是二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，及磷硅玻璃。

在半导体制作工艺中，为保护集成电路免于遭到外界环境的影响，例如水气，外来杂质，及机械性的伤害，通常会在集成电路的上方沉积保护层。

passivation层基本信息

金属钝化理论认为，钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成，故称氧化膜。

在半导体器件的制造上，氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为mos晶体管的棚级氧化膜、pn接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有：热氧化法及气相成长法。

一些还原性阴离子，对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜，常采用化学或电化学处理。

14nm制程是集成电路制作过程中的术语，指的是MOS晶体管的栅极长度。这个长度用于表征集成电路的集成度高低，尺寸越小，代表每个晶体管所占面积越小，那么集成度就越高。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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