MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

1、狭窄屏障区

在掺杂浓度较高的情况下，势垒区的共价键结构由于势垒区宽度小、反向电压大而被破坏，使价电子脱离共价键并产生电子空穴对。电流急剧增加。这种故障称为齐纳故障。当掺杂浓度较低时，势垒宽度较大，不易发生锌击穿。

2、高反向电压

当反向电压增大到较大值时，外加电场加速电子漂移速度，电子漂移速度与共价键中的价电子发生碰撞，将价电子从共价键中逐出，形成一对新的电子空穴。新产生的电子空穴被电场加速，然后其他价电子被击出。载波雪崩增加，导致电流急剧增加。

扩展资料：

二极管的分类：

1、点接触式

点接触二极管是通过将金属针压在锗或硅材料的单晶片上，然后通过电流法形成的。因此，其PN结具有较小的静态容量，适用于高频电路。

2、表面接触式

表面接触型或区域型二极管的PN结是用合金化或扩散法制作的。由于二极管的PN结面积大，可以承受大电流，但电极间的电容也很大。该装置适用于整流，但不适用于高频电路。

3、密钥类型

键合二极管是将合金或银线熔合在锗或硅片上形成的。它的特点是在点接触二极管和合金二极管之间。与点接触式相比，键合二极管的PN结电容略有增加。

参考资料来源：百度百科—二极管

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