掺杂对半导体导电性能的影响有那些?

不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴.而掺杂可以在很大程度上提高半导体的导电性.

掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂.N型掺杂会增加N(电子)导电.P型掺杂增加空穴导电.

PN结就是半导体一部分P型掺杂,一部分N型掺杂形成的.

希望对你有所帮助.

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

①因为热敏电阻为半导体，所以表现的性能与金属导体很大差异，根据常识金属导体的电阻随温度变高而增大，而一般热敏电阻和金属导体相反．热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低；

②同理，当半导体微量外加杂质时，会改变导电性能；

③声音的变化，不会改变半导体的导电性能；

④光照射到光敏电阻上时，光敏电阻是半导体的，受到光的激发，会产生更多的自由电子，导电性增加，电阻变小；故C正确，ABD错误．

故选：C．

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