flash里面的晶圆能造假吗

能造假的，所以在正规渠道买，否则就有可能买到假货。flash芯片是晶圆材料做的，晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。

英[fl__]美[fl__]

v.闪光(使)闪耀(向?)用光发出(信号)(快速地)显示飞速运动突然想到（使）闪现，映出，显示（通过无线电、计算机等）快速发送（信息）突然显露（强烈情感。

n.闪光闪耀(尤指信号灯)闪亮(想法的)突现(情感的)突发（明亮的东西）闪现闪光灯徽章，肩章，臂章彩条Flash网站动画制作程序。

adj.庞大的昂贵的穿着奢华的。

第三人称单数：flashes。

现在分词：flashing。

过去式：flashed。

过去分词：flashed。一站式出国留学攻略 http://www.offercoming.com

一、区别

1、接口差别

nor flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

nand flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

2、容量和成本不同

nand flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

nor flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

3、寿命(耐用性)不同

在nand flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor flash的擦写次数是十万次。nand flash存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand flash块尺寸要比or flash器件小8倍，每个nand flash存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

二、原理

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入 *** 作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入 *** 作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 *** 作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。

三、用法

一般NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲。而NAND FLASH则一般用来做存储数据用。比方说，U盘.MP3等。

扩展资料

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

参考资料来源：百度百科—Nand flash

参考资料来源：百度百科—NOR Flash

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