半导体iginv公式

I = I_s * e^(V_d/V_t) - I_s * e^(-V_d/V_t)

其中，I_s为半导体的漏电流，V_d为半导体的偏压，V_t为半导体的阈值电压。

用左手定则就可以了。

当磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向，拇指指向负电荷一侧，此时为P型半导体，空穴型。若方向正好相反，则为N型半导体，也是电子型。

判断通电导线处于磁场中时，所受安培力 F （或运动）的方向、磁感应强度B的方向以及通电导体棒的电流I三者方向之间的关系的定律。

扩展资料：

导体内定向移动的电荷所受洛伦兹力的合力。当电流方向与磁场平行时，电荷的定向移动方向也与磁场方向平行，所受洛伦兹力为零，其合力安培力也为零。

洛伦兹力不做功是因为力的方向与粒子的运动方向垂直，根据功的公式W=FScosθ，θ=90°时，W=0。安培力与导线中的电流方向垂直，与导线的运动方向并不一定垂直，一般情况是在同一直线上的，因此安培力做功不为0。