半导体为什么会容易受到温度影响？会产生什么样的后果？

因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体，一般说来导电性远不如掺过杂的半导体，所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性，其电离率和温度密切相关，所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于掺杂半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。温度继续升高到本征激发快速增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

以硅mos管为例，源漏需要高浓度的载流子（~E19/cm3），沟道需要较低浓度载流子（~E15/cm3），如果用本征硅，这两个区域的温度分别为1000摄氏度左右和200摄氏度左右，这是无法做到的。

n型半导体中，杂质能级是要高于费米能级的（即杂质能级更接近于导带）。本征硅的费米能级在禁带中央附近，n型杂质的能级更高，所以电子一定是从高能级流向低的费米能级（即n型杂质贡献电子），最终在半导体内形成统一的费米能级。这个费米能级介于杂质能级和本征费米能级之间   

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