美国电子工业协会半导体器件型号命名法规定:
1— 表示非军用品二极管;
N—表示美国电子工业协会(EIA)注册标志;(说明:日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件的符号是S。)
4007—该器件在美国电子工业协会(EIA)的登记顺序号。
可以带换K3568是东芝的N沟道场效应管,参数为:8A,500V。
功耗50W. 用8N60F,10N60F都可以代替场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)