2、其次在晶格处于d性应变状态,两种晶格交界面附件的每个原子偏离其正常位置时实现。
3、最后当这种应变较大时即可看从晶格匹配选择半导体材料的图。
最近我也在看这方面儿的,在网上搜晶格参数和晶格常数,这两概念把我弄晕了。幸好在书上找到了蛛丝马迹。“为了描述晶胞的形状和大小,常采用平行六面体的三条棱边的边长a,b,c(成为点阵常数)及棱间夹角α,β,γ6个点阵参数来表达。你看看上面这句话,点阵常数就是晶格常数,那么,同理可得:晶格参数就是点阵参数,也就是说:晶格常数是a,b,c,而晶格参数不仅包含晶格常数,还应包括棱间夹角。纯手打,给分吧。一些复杂结构的半导体,正常情况下不好长成单晶,那是由于其没有很好的附着点,也不能成核,不能凭白提供成核动力啊.更不用说长晶了.例如,冰雹的形成,有条件了,没有灰尘小颗粒不能凝结成核的,也不能形成冰雹. 雪花也类似.所以长晶需要衬底,需要相应的晶格匹配,需要成核点.需要衬底是必须的,但是关键是选择什么的衬底,那才是工艺重要环节之一.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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