半导体物理中 晶格弛豫 弛豫 动量弛豫有何分别？ 需要从半导体物理角度解释

弛豫就是从一种状态逐渐过渡到另一种状态的变化过程。 晶格弛豫就是晶格受到某种作用而逐渐发生变化的一种过程。半导体载流子的弛豫有动量弛豫和能量弛豫：动量弛豫是载流子在电场作用下，其动量发生变化的过程，能量弛豫是载流子在电场作用下，其能量发生变化的过程，一般动量弛豫时间要比能量弛豫时间短得多，这也就是产生速度过冲的原因。

一个宏观平衡系统由于周围环境的变化或受到外界的作用而变为非平衡状态，这个系统再从非平衡状态过渡到新的平衡态的过程就称为弛豫过程。弛豫过程实质上是系统中微观粒子由于相互作用而交换能量，最后达到稳定分布的过程。弛豫过程的宏观规律决定于系统中微观粒子相互作用的性质。因此，研究弛豫现象是获得这些相互作用的信息的最有效途径之一。驰豫法是测定快速反应动力学参数的一种常用实验方法，适用于半衰期小于10-3秒的反应。驰豫法以体系建立新的平衡状态作为讨论的基础，其突出的优点在于可以简化速率方程，它能用线性关系来表示，而与反应的级数无关。

如果一个已处于平衡的化学体系，经外界突然稍加扰动后，则该体系将以一个时间滞后（称为松弛时间）为特征，再趋向新的平衡。恢复平衡的快慢（即松弛时间的长短）视正向和逆向反应的速度而定。

对平衡的突然扰动可以是温度、压力或强电场突然改变的结果。利用超声波或高频交变电场可以对体系做周期性的扰动。

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