半导体拆分上市提速，比亚迪拿出新“杀手锏”

比亚迪半导体董事长兼总经理陈刚曾表示，IGBT 并不是靠砸钱就能砸出来的。

新能源汽车、动力电池领域的成功赋予了比亚迪在传统汽车向新四化转型的话语权，因此当比亚迪在为发展半导体业务聚拢资金时，投资机构“砸钱”就显得十分乐意，“马太效应”也在半导体这片蓝海开始显现。

42天两轮融资，估值百亿

日前，比亚迪官方宣布，继A轮19亿融资后，比亚迪半导体有限公司完成A+轮融资7.99亿元，投后估值超百亿元。

比亚迪还表示，本次增资扩股事项完成后，比亚迪半导体注册资本将增加至人民币4.1亿元，公司持有比亚迪半导体72.3%股权，比亚迪半导体仍为比亚迪控股子公司，仍纳入公司合并报表范围。

在首轮融资中，投资方均为国内外知名知名投资机构，领投为红杉资本、中金资本以及国投创新，Himalaya Capital等多家机构参与认购。

也正因为半导体增资扩股项目吸引了众多财务及产业投资人的青睐，又考虑到未来拟实施的各项业务资源整合及合作事项，比亚迪进行了第二轮引入。

在第二轮战略投资中，投资方包括韩国SK集团、小米集团、联想集团、中芯聚源、北汽产投、上汽产投、深圳华强、蓝海华腾、英威腾，以及招银国际、中信产业基金、厚安基金等众多A+轮战投入股或通过基金入股。

据比亚迪披露的信息，比亚迪在完成融资之后将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作。

直面技术竞争

比亚迪半导体公司核心业务主要是车规 IGBT 和工业 IGBT 两个领域。从2005年组建团队开始，比亚迪的IGBT研发已经有15年的时间了，比亚迪也因此成为了中国第一家实现车规级 IGBT 大规模量产以及唯一一家拥有 IGBT 完整产业链的车企。

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transisto）中文名称为绝缘栅双极型晶体管，或许在半导体制造的人看来，IGBT只是一个分立器件，但这个小小的器件如今已成为电子器件里技术最先进的产品，并已经全面取代了传统的Power MOSFET，被称为电力电子装置的“CPU”，作用相当于人体的大脑。

作为能源转换与传输的核心器件，IGBT芯片与动力电池电芯被称为电动车“双芯”。它在新能源汽车行业有着举足轻重的地位且应用十分广泛，应用领域包括电动控制系统、车载空调控制系统、充电桩等；从成本占比来看，IGBT模块占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20%。

此外，在智能电网方面，无论是输电端还是变电端，亦或是用电端，均离不开IGBT的应用。

目前来看，全球IGBT市场竞争格局由英飞凌、富士、三菱等国际主流生产厂家主导，国际厂商起步早，研发投入力度大，因此拥有较高的专利壁垒，国内IGBT也十分依赖国外，90%需要进口，再加上IGBT适配特点，工艺设备的购买、配套都十分困难。

我国的功率半导体技术尚处于起步阶段，一般采取“设计+代工”模式，即设计公司提供芯片设计方案，国内一些集成电路公司代工生产。而随着我国新能源汽车的迅速发展以及基础设施的完善，IGBT供需缺口的问题将越发明显，打破国际垄断、实现自主研发和国产替代势在必行。

供应商的进阶路

从与长安汽车合资设立动力电池公司开始，比亚迪在汽车制造领域的供应商之路可以说是真正开启了，而后与奥迪、捷豹路虎签订的协议也让其供应商的身份得到进一步巩固。按照计划，比亚迪将于 2022 年前后把整个电池业务分拆出去独立上市。

显然，比亚迪半导体准备走同样的一条路。

2018年底，比亚迪发布IGBT4.0技术，据了解，该技术在多项关键性能指标上优于市场主流产品，例如电流输出能力高15%，综合损耗降低20%，温度循环寿命可达主流同类产品10倍以上，可以说该技术是中国 IGBT 芯片崛起的代表作，同样也打破了高性能IGBT受制于人的局面。

数据显示，目前比亚迪 IGBT 芯片晶圆的产能每月 10 万片，年供应新能源高达汽车 120 万辆。在2020年4月底，比亚迪IGBT项目在长沙动工。据了解，该项目总投资10亿元，将建成年产25万片8英寸新能源汽车电子芯片生产线，投产后可满足年装车50万辆新能源汽车的产能需求。项目达产后预计年度营业收入可达8亿元，实现年利润约4000万元。

另一方吧，比亚迪还在与华为在车载芯片方面进行深度合作。

据了解，华为麒麟芯片正独立探索在汽车数字座舱领域的应用落地，首款产品是麒麟710A，目前已经与比亚迪签订合作协议。比亚迪对此也回应称：“已经拿到了麒麟的芯片技术文档，开始着手开发。”、“麒麟芯片拓展汽车市场已经有数月，目前主要锁定比亚迪，希望借助车型落地，打开市场。”

对华为芯片略微了解的都知道，麒麟芯片是华为海思半导体公司自研的手机芯片，目前只是向华为手机和荣耀手机供应，但华为方面对这款产品的拓展研发从未停止，率先在比亚迪产品中应用也不足为奇。

头条说：

一方面自己铆足力气研发，另一方面又紧抱住行业大佬华为，比亚迪丝毫没有掩饰自己成为汽车芯片领域顶级供应商的野心。

全球汽车行业朝着电动化智能化发展是必然趋势，IGBT能够提高用电效率，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

同时，从半导体到芯片，对国内车企来说这是一片需要迅速占领的蓝海，尽管比亚迪已经取得一定突破，但想占领市场跻身供应商难度依旧面临很大困难。在疫情这只黑天鹅下各行业资金吃紧的时期，手握资金的比亚迪能否把握住发展窗口期迅速成为“独角兽”，值得期待。

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全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。

但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？

存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？

第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。

第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。

以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。

另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。

不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。

其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。

海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。

对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？

不同于第一代半导体材料硅基的发展在国内正面临一系列掣肘，作为化合物半导体材料的碳化硅器件正逐渐迎来商用加速期。

特斯拉率先让碳化硅器件上车起到了关键推动作用。多方机构都预测，在未来5-10年间，碳化硅器件的应用增长点会陆续涌现，包括新能源 汽车 、储能、光伏风能发电、5G通信等领域。

碳化硅商用落地的典型代表就是特斯拉，在其推动下，碳化硅的应用进度和市场空间都打开了想象力。

基本半导体董事长汪之涵在前述论坛演讲中指出，从1982年IGBT发明到现在，其仍然是功率半导体器件中最为重要的一个，在各种电力电子应用中发挥着巨大作用。

不过在过去几年时间里，人们欣喜地发现，在很多高端应用中，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。“这个取代的过程和势头，似乎比大家前几年的判断来得更早更快，所以我们认为，碳化硅成为功率半导体主流的时代似乎已经来到。”他续称，虽然目前碳化硅器件的成本比硅基IGBT要高不少，但从全生命周期成本来看，通过使用碳化硅器件，现在的账已经能算过来了。

根据Yole研判，到2027年预计全球碳化硅芯片市场规模约63亿美元，其中接近80%的市场（也即约50亿美元）来自于新能源 汽车 。汪之涵指出，根据其团队测算，随着碳化硅产品成本降低，到2027年，一辆车上不同部件使用碳化硅的价格在2000-3000元，那么届时全球将有一千万辆车使用碳化硅器件，实际上这个数量将只多不少。

芯粤能半导体CTO相奇则指出，“双碳”战略正开启新能源转换的黄金时代，其中电能转换推动需要功率器件，碳化硅器件在其中优势尽显。

根据机构统计，到2030年，中国大陆总用电量将达到10.5万亿度/年，若能用碳化硅功率器件替代传统硅基器件，可节电万亿度，约等于10座三峡大坝。

从应用端来看，新能源 汽车 、光伏和储能、航天、工业等领域牵引下，全球碳化硅市场的规模正快速成长，预计2019-2025年的复合年均增长率为30%。

山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆教授徐现刚也指出，碳化硅单晶应用主要为两个方面：一是电力电子碳化硅器件领域，在导电型衬底之上做碳化硅同质外延，如新能源 汽车 、高铁运输、智能电网的逆变器等器件上应用；二是把碳化硅作为衬底材料，生长氮化镓材料的异质外延，在高频大功率微波电子器件里获得了较大应用，也在雷达、通信系统等方面有应用。

不过，目前国内在碳化硅功率器件和衬底市场依然有较大发展空间。据调研机构Yole统计，无论是碳化硅器件销售额，还是碳化硅导电型衬底市场视角来看，占据主要份额的都为来自美国、欧洲和日本的公司，部分情况下甚至有垄断态势。

一种观点认为，在关键碳化硅衬底技术方面，国内和海外厂商的差距大约是2-3年，但随着集中力量推进研发，这个时间差距有望进一步缩短。

徐现刚在演讲中指出，从衬底发展来看，海外厂商在十年前突破了6英寸衬底技术，目前已稳定导入产业；并在国内“十三五”期间突破了8英寸衬底量产的关键难题，正快速导入量产进程。

国内厂商近些年来也在积蓄经验后快速推动研发落地。“针对碳化硅单晶的研究前期，我们亟需和下游密切配合。在研发2-3英寸单晶时，很难找到电力电子大规模应用，所以我们找到了光电子应用；在6英寸和8英寸单晶上，我们希望和半导体界以及电力电子行业密切配合，也做好了准备。产业角度的需求已经非常旺盛；技术路线上，碳化硅外延的整个产业链不存在被制约发展的问题，所以我认为，8英寸时代真正到来了。”

他续称，就像最开始一种观点认为硅基不用那么着急被碳化硅器件替代一样。特斯拉作为第一个吃螃蟹的人成功之后，大家都开始积极跟进，才有了现在被认为行业将爆发式增长的预期。“所以我想碳化硅晶圆尺寸发展也一样，成熟的8英寸衬底推出后，必然会让成本降低。当然先要面对研发、材料良率低等现阶段难题，但实际上随着技术进步，这也是之前6英寸研发过程中都遇到过的情况。”

还有一个不可忽视的问题是各地的积极建设。一些行业人士指出，在未来十年，整个碳化硅行业面临着巨大机会，同时挑战也很大。目前国内多个省份和城市已经开始推动碳化硅材料和器件等环节的大规模项目落地，这一方面意味着各地都在认可碳化硅的发展未来并积极促进，但另一方面，大规模建设后，在未来几年可能也会面临行业整合过程。

同时，目前南沙在碳化硅领域的产业链已经部署相对完善。“我们称为‘聚沙成塔’，打开地图看会发现，南沙的确是一家一家公司拼图一样拼出了一个产业园，从南砂晶圆开始不断延伸产业链。因此我们认为，南沙发展半导体产业有其独特的思路和节奏。”

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