千亿半导体项目终落幕，遣散所有员工，可惜了那台7nm光刻机

不过可惜的是，就在近日，这个投资千亿的半导体项目迎来了最终落幕，不仅发出通知遣散所有员工，还要求全体员工必须在3月5日前完成办理离职手续。

当然，最可惜的还是那台完全未拆封，被抵押给银行的大陆唯一一台7nm高端光刻机！

其次，从人员上来说，弘芯半导体也是兵强马壮。

据悉，武汉弘芯半导体项目的技术总负责人乃是芯片界的大牛蒋尚义。此人乃是台积电前CTO（首席技术官），在台积电任职时间长达10年，是张忠谋的左膀右臂。

更重要的是，根据公开信息显示， 台积电90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米、6纳米等关键节点的研发都有蒋尚义的参与，得一蒋尚义胜过数百名芯片工程师。

然而现在呢？就在几个月前， 蒋尚义亲自证实在2021年1月1日正式加入中芯国际，并担任中芯国际副董事长一职。

由此还闹出了一场风波，梁孟松博士因蒋尚义突然空降，高调请辞，众网友大呼中芯国际“老糊涂”了。

按道理说兵强马壮的弘芯半导体项目怎么也能折腾出一点儿动静，怎么就突然烂尾了呢？1380亿的投资又都花到哪儿去了呢？

根据武汉《上半年东西湖区投资建设领域经济运行分析》文件披露，弘芯半导体项目的钱主要花在了以下两个方面。

1.人才投资。根据台媒消息， 武汉弘芯在2019年的时候便已经着手挖人，除去在6月份请来蒋尚义这么一位业内高人之外，年底的时候还联合山东泉芯开出高于台积电2.5倍的薪酬从台积电挖走了100多名资深工程师和半导体经理。

2.设备投资。设备方面， 除去一期生产线需要的300余套设备之外，更是通过各种关系引进了一台型号为TWINSCAN NXT：1980Di的高端光刻机 ，这种光刻机是大陆唯一一台可以生产7nm芯片的高端光刻机。当初该设备成功引进时，甚至还专门弄了一个声势浩大的进厂仪式（ 如今已被抵押给了武汉农商行，估值58180.86万元 ）。

3.厂房投资。据悉，仅是一期厂房投资就高达520亿， 主要生产厂房加研发大楼已经封顶或完成，总建筑面积高达39万平方米。 不过二期项目出了点问题， 由于一直没有完成土地调规和出让，以及缺少土地、环评等支撑材料，所以二期项目迟迟未能启动，以“烂尾”告终。

至此，负责人转投，高端设备抵押，二期工程“烂尾”，虽然武汉弘芯还没有完全解散，但是已经濒临彻底失败的边缘。

根据2月27日最新消息，武汉弘芯内部下达了一则正式通知，由于公司无复工复产计划，因此决定遣散所有员工，要求全体员工于2月28日下班前主动申请离职，并于3月5日前完成离职手续办理。即便是休假人员，也被要求线上办理。

值得注意的是，根据内部员工的透露，该消息的发出没有任何征兆，该员工所在的部门甚至还在为正式投产做准备。

此外还有一点需要注意， 按照通知中的说法，是要求全体员工自己主动提出离职申请，这是不是说明弘芯已经不打算支付遣散费用？还是说武汉弘芯的资金缺口已经到了连员工遣散费用都支付不起的地步了？

眼看他起高楼，眼看他宴宾客，眼看他楼塌了。

不管怎样，这个历时3年有余的弘芯半导体项目算是迎来了最终落幕，只是可惜了那一台能够制造出7nm芯片的高端光刻机了。

如果是其他项目或厂商拿到这台高端光刻机，是不是就可以实现14nm，7nm高端芯片量产呢？

最后还是要说一句， 像芯片半导体这种国之重器，还是掌握在可信的人和公司手里比较好。

浇筑完毕，生产厂房全面进入主体施工收尾阶段。

华夫板浇筑完成，项目员工合影留念。

9月29日，随着最后一块华夫板浇筑完毕，该产业园最大单体M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段，这也标志着公司在华夫板浇筑领域的首次施工圆满落下帷幕。

湖南三安半导体产业园项目为国内第一条、世界第三条碳化硅全产业链产线，项目产品为高质量、低成本、高稳定性的碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源 汽车 、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域。

“M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中建筑面积最大、洁净等级要求最高的厂房。”项目负责人周祥介绍，其按照“百级洁净度”标准建设，堪比最高洁净等级的手术室内部空气洁净标准。

由于此类工程在我国起步相对较晚，鲜有成熟的施工经验推广应用，依托中建五局三公司设计、采购、施工“一揽子”的全产业链总承包优势，采取分区域流水施工，并进行事先讨论、层层交底；事中控制、严格把关；事后审核、总结经验，严格执行工作面移交制度，根据现场施工效果不断改进施工方法，终于在9月29日顺利完成M2B芯片厂房最后一块华夫板的浇筑，为后续结构施工打下了良好基础。

项目相关负责人介绍，该项目建成达产后，将形成超100亿的产业规模，带动上下游配套产业产值预计超1000亿，创造近10000个就业岗位。凭借项目完整的碳化硅产业链布局和强大的制造平台，将促成湖南、长沙成为全球碳化硅、氮化镓市场高地，达到化合物半导体领域的领先地位。

近期，LED龙头三安光电的重大投资项目陆续投产。

6月 23日，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产 ，这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。同时，也是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。

根据2020年6月公告，湖南三安半导体项目投资总额为160亿元，主要建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，项目垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节，可实现月产3万片6寸碳化硅晶圆。

据悉， 湖南三安半导体基地全部建成达产后，预计将实现年销售额120亿元 ，年贡献税收17亿元，将促进第三代半导体行业加快发展，带动周边配套产业近万个就业机会。

湖北三安项目近期正式投产

湖北三安项目总投资120亿元，计划建设研发生产基地，生产Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/ Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列。

2021年2月3日，项目一期主体建筑成功封顶；3月16日，项目变电站如期送电； 湖北三安光电项目Micro LED和Mini LED芯片生产线已于2021年4月16日开始试产，并 将于近期正式投产。

该项目投资120亿元，于2019年7月29日开工建设。当时的公告称，湖北三安光电项目争取48个月内实现达产，其中一期投资在24个月内完成项目建设并投产，预计年实现销售收入72亿元、利润总额17.84亿元、税收9.3亿元。

据湖北日报报道，鄂州葛店开发区招商局局长祝晓荣表示，三安光电生产的关键组件将供给光谷的天马微电子、华星光电等光电子信息企业。另外，作为三星的重要供应商之一，三安光电也将继续为三星供应Mini/Micro LED芯片。

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