和DFB-LD一样,DBR-LD也需要使用外调制器才能满足长距离传输的需要。1999年,法国France Telecom公司报道了他们制作的DBR-LD/EA调制器集成光源[9]。它由一个两段DBR-LD与一个EA调制器构成,并采用相同的应变补偿InGaAsP多量子阱层作为DBR-LD的有源区和Bragg光栅区以及EA调制器的吸收层。通过改变Bragg光栅区的注入电流,其输出波长可以覆盖12个信道,共5.2 nm的波长调谐范围。同时,该集成器件的调制带宽达到15 GHz,可以应用于10 Gbit/s通信系统。
由于DBR-LD是通过改变光栅区的注入电流实现调谐的,这导致了较大的谱线展宽。另外DBR-LD需要调节至少两个以上电极的电流,才能将激射波长固定下来,不利于实际应用,而且DBR-LD纵模的模式稳定性相对较差,极易出现跳模现象,所以近年来有关波长可调谐DBR-LD的研究活动有所减弱。而由于DFB-LD的激射波长相对稳定,人们就将多个波长不同的DFB-LD集成起来,组成波长可选择光源。2000年,日本NEC公司报道了他们制作的波长可选择集成光源[10]。光源含有8个具有不同输出波长的DFB-LD,并采用一个EA调制器对输出光信号进行调制。光源中还集成有一个多模干涉型(MMI)耦合器与一个半导体光放大器(SOA),用来对8个激光器的输出光进行耦合并对损耗进行补偿。该器件采用介质膜选择性区域外延进行制作,可以作为2.5 Gbit/s DWDM光纤网络的光源,能够有效地提高系统的灵活性与可靠性。但是这种光源需要在同一衬底上制作不同激射波长的DFB-LD,其无论对材料的外延生长工艺还是对器件的后加工工艺,都有非常高的要求。
对于近红外波段的VCSEL,使用的基本都是全半导体DBR反射镜,如表所示。基于AlGaAs材料的DBR应用的最为广泛,在波段650~690 nm,近红外的850~980 nm段,长波1.33~1.55 ptm段都有应用。在650~690 nm段,采用的是A1As/A1xGa-xAs基DBR,为了避免光吸收,需x>0.4。对于780 nm的VCSEL,铝的组分要减少为x=0.25;同理,对应于850 nm的x=0.15,980 nm的VCSEL选用的是GaAs/A1As或GaAs/A1。q6Ga0.04As基DBR。理想的VCSEL需要拥有最大的反射率和良好的散热性。与绝缘材料的DBR相比,全半导体DBR的折射率差要小许多,因此要达到99%的反射率,需要更多的DBR周期结构,并且还会在反射过程的相位变换中导致较高的色散。理想的全半导体DBR在垂直方向应该有着非常小的串联电阻,顶部发射VCSEL的环形电极还应有非常高的横向电导率。但是因为构成DBR的两种材料的价带不连续,造成了P型DBR的高串联电阻,发热十分严重。
CMOS:Comple-mentary Metal-Oxicle-Semiconductor(中文译为“互补金属氧化物半导体”——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料)是微机主板上的一块可读写的RAM芯 片,用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。DNS域名解析系统
FAT NTFS FAT32是盘的格式
TCP/IP 网络传输协议
WAN、LAN 广域网 局域网
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers)是一个国际性的电子技术与信息科学工程师的协会。
RJ-45 这个是网线的接口的一种
PCI-E 是主板上的插槽
RAM 内存
ROM 只读存储 READ ONLY MEMORY
CDROM 只读光盘
DVD/RW 数字光盘/可镲写光盘
FTP 远程文件传输协议
PS/2 这个是借口的一种吧,像键盘鼠标都用这个或USB接口
COM COMPANY 的简称?
USB 移动存储设备
c/s client/sever 客户端/服务端
DDR 这个好象是内存的一中标市吧
CACHE 好象是交换机?
呵呵,不好意思了,暂时就记得这么多,剩下你查查书,都是自己写的,准确性不能100%保证,仅供参考
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