0.6V左右;微安级,试验测量结果在20- 300微安之间。
硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
二极管材质/工艺:硅管压降z>锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
二极管的工作电流:同一个二极管,当前电流越大,压降越大。
压降虽然有不同,但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围;反向饱和电流Is 大概是uA级别,根据二极管种类不同,有差异。
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能, 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。 因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开 。
二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹。
锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏,硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。
晶体管的饱和压降与其导电类型无关,主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。
集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同,管压降也不是一个定值。可以略有变化,但饱和电流与管压降的乘积不能超过管子的最大功耗,以免损坏。
扩展资料:
三极管具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分.
中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。
参考资料来源:百度百科-三极管
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)