为什么点缺陷热力学上是稳定的,而位错则是不平衡的晶体缺陷?

因为位错是外部施加应力造成晶体中半原子面的变化（刃位错）或者造成晶体面发生晶格错位（螺位错）。

它不像点缺陷，仅仅是部分原子的变化，位错产生的应力场比较大，因此畸变能较高，所以比较活跃，会发生运动。那么它是无法像点缺陷一样在熵值和畸变能之间找到平衡，线张力也只能稍微降低应力，所以它是热力学不平衡。

在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。

但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。

扩展资料：

晶体缺陷有的是在晶体生长过程中，由于温度、压力、介质组分浓度等变化而引起的；有的则是在晶体形成后，由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移，以至消失；同时又可有新的缺陷产生。

晶体缺陷的存在对晶体的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。

适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。

指对晶体的扰动（除相关的d性应变外）在任何方向上仅波及几个原子间距的结构缺陷。最简单的点缺陷为点阵空位和填隙原子，前者是空缺一个原子的正常阵点，称为肖脱基缺陷；后者是占据点阵间隙位置的原子。一对相距较近而处于亚平衡状态的空位和填隙原子称为夫伦克耳缺陷。在一定温度T 时,形成能量为Ui的点缺陷存在一定的热力学平衡浓度ci∝exp(-Ui/kT)。例如Au在600℃时,106个原子里有8个,当温度升至1000℃时,104个原子中就有5个。此外,通过淬火、辐照、掺杂、范性形变和改变化学配比等多种方式也能引入大量非平衡点缺陷。晶体中的外来原子，即杂质或溶质原子，是称作化学缺陷的另一类点缺陷，它们可以以代位或填隙方式存在。 　点缺陷的概念最先是为解释离子晶体的导电性而提出来的。半个世纪来，点缺陷的理论和实验研究已在各种键合类型的晶体中广泛展开。点缺陷是晶体中物质输运过程的主要媒介，是一系列弛豫现象的物理根源，也是容纳晶体对化学配比偏离的重要方式。点缺陷还可以交互作用形成多种复合点缺陷、点缺陷群，构成有序化结构及各种广延缺陷，因而对于晶体结构敏感的许多性质有着至关重要的影响。

点缺陷是晶体中晶格上的一种局部错乱，影响范围只有邻近几个粒子。根据点缺陷不同的成因可以将点缺陷分为下面三类：本征缺陷、杂质缺陷和电子缺陷。

本征缺陷的类型是，在点阵中晶格结点出现空位，或在不该有粒子的间隙上多出了粒子（间隙粒子）。此外，还可能是一种粒子占据了另一种粒子应该占据的位置形成错位。这些缺陷的产生，主要由于粒子的热运动。任何高于OK的实际晶体，晶格结点上的粒子都在其平衡位置附近做热运动，若干能量较高的粒子脱离其平衡位置从而形成缺陷。

杂质缺陷是点缺陷中数目最多的一类。半径较小的杂质粒子常以间隙粒子进入晶体。离子晶体中如果杂质离子的氧化数与所取代的离子不一致，就会给晶体带来额外电荷。这些额外电荷必须通过其他相反电荷的离子来补偿或通过产生空位来抵消，以保持整个晶体的电中性。杂质缺陷一般并不改变原基质晶体的晶格，但会因晶格畸化而活化，为粒子的迁移提供条件。

电子缺陷则可以认为是以上两类缺陷引起的一种电子效应缺陷。按照能带理论，OK下大多数半导体材料的纯净完整晶体都是电绝缘体，但在高于OK的温度下，由于热激发、光辐照等因素会使少数电子从满带激发到导带，原来满带中被这些电子占据的能级便空余出来，能带中的这些空轨道称为空穴。满带中的空穴和导带中的部分电子是使半导体导电的主要原因，可见，实际晶体中的微量杂质和其他缺陷改变了晶体的能带结构并控制着其中电子和空穴的浓度及其运动，对晶体的性能具有重要的影响。

晶体生长过程中的点缺陷，可以通过数值模拟方法进行预测。数值模拟是用来获得廉价的完整的和全面细节的结晶过程，以此方法用来预测晶体生长及改善晶体生长技术。对于无经验人员,可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷，通过晶体生长仿真软件FEMAG可以预知在晶体生长过程中的点缺陷（自裂缝和空缺）。