半导体设备中的关键词--真空

   真空，指某一个容器中不含有任何物质（现实生活中并不存在真正的真空），通常我们把低于正常大气压的容器状态就叫做真空状态。绝大多数半导体工艺设备都需要真空。

  真空度，表示该容器中，气体的稀薄程度，通常用压力值表示。实际应用中，有绝对真空和相对真空两种说法。

  绝对真空，又可以叫做绝对压力，绝压，它是以理论真空为零位，表示比“理论真空”高出多少压力，该值都是正值，值越小，越接近绝对真空，真空度越高；即，值越小，气体越稀薄，真空度越高；通常该值的后面会用abs.作为后缀。 比如：真空度从高到底的顺序是1 mbar abs. >10 mbar abs. >1个 标准大气压。

  相对真空，又可以叫做表压，负压，是以大气压作为零位，表示比该零位低多少，用负值表示。该值越大，真空度越高，比如真空度从高到底依次是 -1000 mbar >-500 mbar >0 mbar (大气压）。

  通常，国内习惯用相对真空来标识真空度，因为相对真空的测量方法简单，测量仪器普遍（一般的真空表都是相对真空表），大家为了表达方便，会把相对真空前面的负号去掉，比如设备的真空度是0.1MPa，实际是-0.1MPa；再比如，如果我们购买真空表时，一般卖家会问，真空度用的是绝压还是表压，这时要考虑我们自己的需求了，一般情况下我们用的是表压，即相对真空。

半导体器件的生产，除需要超净的环境外，有些工序还必须在真空中进行。

每一半导体器件都包含着许多层各种各样的材料，如果在这些不同的材料层之间混入气体分子，就会破坏器件的电学或光学性能。

比如，当希望在晶体层上再生长一层晶体时(称为外延），底层晶体表面吸附的气体分子，会阻碍上面的原子按照晶格结构进行有序排列，结果在外延层中引入大量缺陷，严重时，甚至长不出晶体，而只能得到原子排列杂乱无章的多晶或非晶体。

1 Torr≈133.322 Pa=1.33322*10^-4MPa （兆帕）Torr： 压强单位，以前翻译为“乇”现翻译为“托”。原本的 1 Torr 是指“将幼细直管内的水银顶高一毫米之压力”，而正常之大气压力可以将水银升高 760 mm ，故此将1Torr定为大气压力的 1/760 倍。所以5 E-6 Torr ≈ 666.61 E-6 Pa =6.6661 E-3 mPa （毫帕！不是兆帕）5就是被乘数 ，E-6 是乘数，是10^-6。

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