三星半导体八大工艺

三星半导体八大工艺,第1张

三星半导体的八大工艺包括:1、热处理;2、光刻;3、金属化学气相沉积(MOCVD);4、电镀/电子束蒸镀(EBL) ;5、表面处理/封装 ;6、测试/可靠性测试 ;7 、切割/打样 ;8 、回收。

半导体的范围广泛,应用从科研到民生,日新月异:

1.制造工艺需根据半导体设计的层层不同而不同,2.为避免复杂繁琐导致质量问题,制造工艺流程基本上分三个工程段落,

2.1.模组及应用设计工程,模拟数据

2.2.前工程

2.3.后工程封测

每个阶段都有上百到三百种以上的工艺,至少需要学习10-30年

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化,还需要进行综合评估,以解决多步骤的问题。

扩展资料:

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,与之相对应的是后道(back end of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料,它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源:百度百科-后道工序

参考资料来源:百度百科-半导体

参考资料来源:百度百科-前道工艺


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