半导体二极管，三极管的筛选及老化方法有哪些

检查的主要内容如下：

②电位器、可变电容器和可调电感器等元件，调动时应该旋转平稳，无跳变或卡死现象。④胶木件表面无裂纹、起泡和分层。瓷质件表面光洁平整，无缺损。⑤带有密封结构的元器件，密封部位不应损坏和开裂。⑥镀银件表面光亮，无变色和发黑现象。2畅元器件的筛选和老化③接插件应插拔自如，插针、插孔镀层光亮，无明显氧化和玷污。①元器件外观应完整无损，标注清晰，引线和接线端子无锈蚀和明显氧化。筛选和老化的目的是剔除因某种缺陷而导致早期失效的元器件，从而提高元器件的使用寿命和可靠性。因此，凡有筛选和老化要求的元器件，在整机装配前必须按照整机产品技术要求和有关技术规定进行严格的筛选和老化。然而在课堂化的业余条件下，不具备对元器件进行正规的筛选和老化的条件，只有借助于万用表和有关通用仪器对元器件进行一般的检测，对阻容元件、二极管、三极管、集成电路、

电感线圈、电位器等元件的一般检测在前面已学过的课程中已作介绍，这里不再叙述。而电视机生产厂家具备对元器件进行筛选和老化的条件，且由专业人员 *** 作，比较复杂。下面以对半导体二极管、三极管和集成电路的筛选和老化的技术要求为例作简要介绍，仅供学生参考。（1）半导体二极管、三极管的筛选和老化①筛选程序：

b畅三极管：高温储存→温度冲击→跌落（大功率管不做）→高温反偏（硅PNP管）→功率老化→高低温测试（必要时做）→常温测试→检漏→外观检查。

心→功率老化。筛选程序可根据具体情况作相应变化，但其主要项目有：高温储存→温度冲击→跌落或离②条件及要求：

储存时间：A级48h，B级96h。储存温度：硅二极管（150±3）℃；硅三极管（175±3）℃；锗二极管、三极管（100±2）℃。a畅高温储存漏电流→常温测试→检漏→外观检查。a畅二极管（此处指整流二极管）：高温储存→温度冲击→敲击→功率老化→高温测试反向

锗元件：（－55±3）℃茨（85±2）℃。b畅温度冲击

硅元件：（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低温后高温，转换时间小于1min，每种状态下放置1h，循环次数为5次。

允许曲线有跳动现象。敲击次数为3～5次。c畅敲击　在专用夹具上，用小锤敲击器件，并用图示仪监视最大工作电流正向曲线。不

在c－b极间加反向电压（具体电压值按技术部门的指定值）。反偏时间约4h，漏电流不超过规定值。f畅高温测试　试验温度锗二极管为（70±2）℃，锗中小功率三极管为（55±2）℃，锗大功g畅低温测试　试验温度为（－55±3）℃，恒温时间为30min。

i畅检漏　按技术文件规定进行。（2）半导体集成电路的筛选h畅常温测试　按技术文件规定进行。e畅高温反偏　锗管在（70±2）℃，硅管在（125±3）℃下，二极管加额定反向电压，三极管d畅功率老化　在常温下，按技术要求通电老化。老化时间A级12h，B级24h。率三极管为（75±2）℃，硅二、三极管为（125±3）℃。恒温时间为30min。①高温储存　它的作用是通过高温加热，加速任何可能发生或存在的表面化学反应，使储存条件：温度150～（175±5）℃，储存时间为48h或96h。150℃适用于环氧扁平封装循环条件：温度为（－55±3）℃茨（125±3）℃。先低温后高温，每种温度下保持30min，②温度循环　此项目能检验电路内不同结构材料的热胀冷缩性是否匹配。电路稳定，剔除潜在的失效电路。的电路，175℃适用于其他材料封装的电路。

1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装测试是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。

2、封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond

Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化（Post

Mold

Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片→

装片→

键合→

塑封→

去飞边→

电镀

→打印→

切筋→成型→

外观检查→

成品测试→

包装出货。

3、半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。

4、半导体封装形式：金属封装、陶瓷封装、金属+陶瓷封装、塑料封装（最主要的封装形式）

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。主要的半导体封装测试设备具体包括：1、减薄机。减薄机是通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果，减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。2、四探针。四探针将四个在一条直线上等距离放置的探针依次与硅片进行接触，在外面的两根探针之间施加已知的电流，同时测得内侧两根探针之间的电势差，由此便可得到方块电阻值。3、划片机。激光划片机是利用高能激光束照射在工件表面，使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。4、测试机。测试机是检测芯片功能和性能的专用设备。测试时，测试机对待测芯片施加输入信号，得到输出信号与预期值进行比较，判断芯片的电性性能和产品功能的有效性。5、分选机。分选设备应用于芯片封装之后的FT测试环节，它是提供芯片筛选、分类功能的后道测试设备。分选机负责将输入的芯片按照系统设计的取放方式运输到测试模块完成电路压测，在此步骤内分选机依据测试结果对电路进行取舍和分类。

---