Al,Ar,Ge,Ne 中哪个可以做半导体

Ar是氩,惰性气体；

Ge是锗,金属,但性质有些接近非金属；

Ne是氖,惰性气体.

能做半导体的元素都是在元素周期表上处于金属和非金属交界的元素.惰性气体是一定不行的.因此应该是Al和Ge.

元素符号：

Ar

英文名：

Argon

中文名：

氩

相对原子质量：

39.94

常见化合价：

0

电负性：

0

外围电子排布：

3s2

3p6

核外电子排布：

2,8,8

同位素及放射线：

Ar-36

Ar-37[35d]

Ar-38

Ar-39[269y]

*Ar-40

Ar-41[1.8h]

电子亲合和能：

0

KJ·mol-1

第一电离能：

1520.3

KJ·mol-1

第二电离能：

2666

KJ·mol-1

第三电离能：

3946

KJ·mol-1

单质密度：

0.0017824

g/cm3

单质熔点：

-189.3

℃

单质沸点：

-186.0

℃

原子半径：

0.88

埃

离子半径：

0

埃

共价半径：

0.98

埃

常见化合物：

无

发现人：

拉姆塞、雷利

时间：

1894

地点：

苏格兰

名称由来：

希腊文：argos（惰性的）。

元素描述：

无色无臭无味的稀有气体，构成了地球大气层的1%，是大气中含量第三的元素。

元素来源：

放射性元素钾40衰变过程中不断释放氩气进入空气。纯净的氩可通过分馏液态空气得到。

元素用途：

用于制造灯具。氩气通常用来填充白炽灯泡，也可与氪气混合充入日光灯管。另外，在半导体工业中单晶体是在氩气环境中生成的。