直接带隙半导体

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量. 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量. 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.电子在k状态时的动量是（h/2pi）k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量.

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大，而间接带隙半导体则否。

因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时，没有动量的改变，则不需要第三者参与，故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。

但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合，有动量的改变，则必须要有第三者（主要是声子）参与，故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。

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