ESD和半导体放电管什么区别?

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。ESD静电保护器件封装形式多样，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装形式的ESD静电保护二极管。

半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、 *** 作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。 

1、ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。

2、ESD是英文Emergency Shutdown Device紧急停车系统的缩写。这种专用的安全保护系统是90年代发展起来的，以它的高可靠性和灵活性而受到一致好评。

3、ESD即内镜黏膜下层剥离术，ESD是利用多种内镜用刀（endoknives）切开病变周围黏膜，沿着黏膜下层进行剥离的切除病变的一种治疗方法，适于胃任何部位的无淋巴结转移的危险性癌灶， *** 作简便。

清除静电危害方法介绍

加速工艺过程中的泄漏或中和；限制静电的积累使其不超过安全限度；控制工艺流程，限制静电的产生，使其不超过安全值等。

一、侧漏法，这种方法是采取接地、增湿、加入抗静电添加剂等措施，使已产生的静电电荷泄漏、消散、避免静电的积累。

二、中合法，这种方法是采用静电中和器或其他方式产生原有静电极性相反的电荷，使已产生的静电得到中和而消除，避免静电积累。

三、工艺控制法这种方法是在材料选择工艺设计，设备结构等方面来取措施，控制静电的产生，使其不起过危险程度。

参考资料来源：百度百科—esd