关于肖特基的一些定义

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >>kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基二极管B160-13-F的参数

型号： B160-13-F

产品类型：肖特基管

材料：硅(Si)

封装：SMA/DO-214AC

工作温度范围：-40-100（℃）

功耗：.

针脚数：2

批号：2014

是否进口：是

Schottky势垒，即肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

金属-半导体接触时，在半导体表面层内将形成势垒。Schottky曾在忽略界面态的理想情况下提出了金属-半导体接触势垒的模型，故称为Schottky势垒。1938年德国物理学家Schottky利用肖特基势垒理论即半导体内存在稳定均匀分布的空间电荷层而形成势垒，解释了金属-半导体接触非对称性的导电特性。随着肖特基接触基本理论日渐成熟，利用金属-半导体接触形成的肖特基势垒原理制作的肖特基势垒二极管研究渐渐升温。20世纪80年代后随着半导体工艺技术的发展，肖特基势垒二极管（SBD）的发展逐步走向成熟[1]。

由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性（整流特性）。1938年德国的W.H.肖特基提出理论模型，对此特性做了科学的解释，故后来把这种金属与半导体的交界面称为肖特基结或肖特基势垒。其基本原理是由于半导体的逸出功一般比金属的小，故当金属与半导体（以N型为例）接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层形成一个由带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区，如图1a所示，在此区中存在一个由半导体指向金属的电场，犹如筑起一座高墙，阻止半导体中的电子继续流入金属。从图1b肖特基势垒能带图可以看出在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值

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