什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍

1、表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

2、介绍：表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

3、1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。

分为三大类：

①发光二极管 （LED） 和激光二极管（LD）：将电能转换成光辐射的电致发光器件。发光管的发散角大，光谱范围宽，寿命长，可靠性高，调制电路简单，成本低，广泛用于速率不太高、传输距离不太远的通信系统，以及显示屏和自动控制等。激光管的光谱较窄、发散角小、方向性强、色散小，于1962 年研制成功后，得到迅速发展，广泛用于大容量、长距离的光纤通信系统以及光电集成电路。缺点是温度特性差，寿命比 LED 短。

②光电探测器或光电接收器：通过电子过程探测光信号的器件。即将射到它表面上的光信号转换为电信号，如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管（ APD ）等，目前广泛用于光纤通信系统。

③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能，以低运行成本提供永久性的电力，并且没有污染，为最清洁的能源。根据其结构不同，其效率可达5%～20%。

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