。NAND类型Flash通常称之为串行Flash,其 *** 作指令、 *** 作地址和 *** 作数据是通过同一
个8位总线传输,具有较少的硬件连接。NOR类型Flash通常称之为并行Flash,其地址总
线和数据总线是分开的,存取速度较快,但硬件连接较多。
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Flash Memory的标准物理结构,称之为基本位(cell),其特色为一般MOS的闸极(Gat
e)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory在控制闸(Control
gate)与通道间却多了一层物质,称之为浮闸(floating gate)。拜多了这层浮闸之
赐,使得Flash Memory可以完成三种基本 *** 作模式,亦即读(一个byte或word)、写(
一个byte或word)、抹除(一个或多个内存空间),就算在不提供电源给内存的环境下
,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
由于浮闸的物理特性与结构,使得当浮闸被注入负电子时,此一cell就由数位”1”被写
成”0”,相对的,当负电子从浮闸中移走后,此一cell就由数字”0”变成”1”,此过
程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨,其中热电子注
入法(hot-electron injection),是当源极(source)接地,控制闸的电压大于汲极
(Drain)的电压时,浮闸与通道间氧化层的能量带会变得很狭隘,因此在通道中的负电
子会被加速自信道上跳到浮闸中,进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功
能上,当控制闸接地且source接至一个高压时,浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至sour
ce,进而完成抹除的动作。Flash Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理
,使得本身具有重复读写的特性。
Flash的种类
根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,Cell Type
又可分为Self-Aligned Gate(Stack Gate)以及Split gate两种,前者以Intel为代表
,后者则被Toshiba、SST(硅碟)等厂商所采用;至于Operation Type,依据功能别又
可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据),Code Flash
动作方式有NOR及DINOR两种,而Data Flash动作方式则有NAND及AND两种,其中Code Fl
ash主要以NOR型为主,储存系统程序代码及小量数据,多半应用于PC、通讯移动电话、
PDA、STB等产品上;而Data Flash则是以NAND型为主,用于储存大量数据,主要应用范
围包括DSC、MP3等所需要的各式规格的小型记忆卡。
gate several门数
例句
1.Outside the Prospect Garden north gate several shops, have but actually reach the lotus ni, JEANSWEST.
大观园北门外面倒是有几家小店,有达芙妮,JEANSWEST。
2.Behind the gate, has several step staircases
在大门的后面有几阶楼梯
3.You know from the Simple and conditional transitions section that you need a gate that splits one path into several paths.
您从简单的,有条件的迁移部分了解到需要一个将一条流分为多条的gate。
4.Jinan East Gate at the back of old, once Evening News reported, several generations, and Chuan-Chuan female infants do not.
济南老字号在东门后面,晚报曾经报道过,好几代了,传儿不传女。
5.He suddenly fell to the gate and turned several rounds. He could not stop until he bumped his mother's green shell.
他一下子滚落到井口“咕噜,咕噜”地转了好几圈,直到撞在妈妈的青壳下才停下。
6.After several times escapes the defeat, the Chu gate marine left this small town.
经过几次逃脱失败后,楚门海上离开了这座小城。
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