关于半导体集成电路有几个地方看不懂

N+是N型重掺杂。N型掺杂剂有Sb、As等，N+的掺杂浓度约在10E16左右，电阻率为0.01ohm.cm以下。

N是N型轻掺杂，电阻率1ohm.cm以上均可成为轻掺N型

P-Sub是指P型衬底，用来进行外延（Epi）的硅片。

Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal Si ,Improve the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance. Lightly doped epiwafer minimizes latch-up effect, accurately controlled doing concentration.是在原本Heavily doped substrate上，以的方式成长一层Lightly doped Epi-layer，以作为CMOS制程的底材。因此CMOS是直接建立在Lightly doped Epi-layer上，而Heavily doped substrate则作为接地。此可使CMOS中直立式pnp双载子寄生电晶体的电流不易横向地流往寄生的npn电晶体，而流向Heavily doped substrate。因为底材接地，寄生pnp与npn的闭锁(Latch up)现象可被抑制，但相对使用Epi-Wafer会提高成本。

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