半导体电性异常与制程的关系

半导体电性异常与制程的关系如下。一种半导体器件的制造方法，获取预处理半导体结构，预处理半导体结构包括具有第一暴露面的金属层，金属层第一暴露面具有凸起部。在金属层第一暴露面设置保护层，保护层至少覆盖金属层除凸起部以外的其它部分。去除凸起部以在金属层上形成金属层的第二暴露面。在第一暴露面的所在区域上形成介质层，且介质层完全覆盖第一暴露面的所在区域。本发明提供的半导体器件的制造方法通过在金属层除凸起部的其它部位上覆盖保护层保护金属层。蚀刻掉凸起部，对半导体器件的金属层表面进行修整，避免凸起部影响半导体器件的后续制程，在金属层上覆盖保护层，使得半导体器件的表面平整，更有利于半导体器件的后续制程，方法简单，便于实施。

可控硅整流装置输出电压异常的处理步骤如下：

(1)直流电压输出降低，经调压后仍不能升高时，应检查交流电压是否过低，整流元件是否损坏或失去脉冲，熔断器是否熔断，交流电源是否非全相运行。

(2)直流输出电压高，经调压后仍不能下降的，可能是由于直流负荷太小，小于允许值。此时应将全部负荷投入。

　可控硅调压本身就是调整到相应的直流电压。普通的整流器不具有调压功能，可控硅整流器是通过调整导通角来控制输出的脉动直流电压，再经滤波后得到相应的直流电压。不过有一种“倍压整流电路”可以将较低的交流电压整流得到较高（电源电压n倍）的直流电压。通常用于高压生成电路。

可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

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