半导体先进封装,光刻机,光刻胶哪个好

光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。

简单的说光刻胶是用于保护硅片的，光刻机是用来制作芯片的。光刻胶的性能指标要求极高，如感光的性能、抗蚀性、表面的张力等。

光阻通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)。例如DNQ在300纳米到450纳米间有很强的吸收。

正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift-off制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上，再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部分拔起，完成金属电极的图案。

半导体制程常用的正型光阻剂，在光学曝光方式下，光阻剂上层接受能量较下层光阻高，使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽，无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形，而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反，所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。

作者：LED小知识

光阻液

光阻材料简介

光阻主要由树脂(resin)，感光剂(sensitizer)，溶剂(solvent)三种成分混合而成。

光阻种类: 光阻分为正光阻及负光阻两种。

1. 正光阻: 光阻本身难溶于显影液，曝光后解离成小分子，形成容易溶于显影液的结构。

2. 负光阻: 曝光后形成不容易溶于显影液的结构。

一般Array photo process 对正型光阻的需求如下:

1. 涂布Coating: Thickness uniformity and Mura free.

2. 曝光Exposure: Photospeed.

3. Development: Thickness loss, taper and process window.

4. Postbaking: Heat resistance and reflow.

5. Etching: Etching resistance and adhesion.

6. Stripping: Resist removability.