rta是快速热退火。
rta是将工件加热到较高温度,根据材料和工件尺寸采用不同的保温时间,然后进行快速冷却,目的是使金属内部组织达到或接近平衡状态,获得良好的工艺性能和使用性能。
RTA在现代半导体产业有重要的应用。可以用极快的升温在目标温度(1000℃左右)短暂持续,对硅片进行热处理。注入硅片的退火经常在注入Ar或者N2的快速热处理机(RTP)中进行。
快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者之间取得优化。RTA还能减小瞬时增强扩散。RTA是控制前结注入中结深最佳方法。
rta的注意事项:
在半导体工业中,快速热退火 (RTA) 是用于激活掺杂剂和金属接触界面反应的工序。一般而言,该 *** 作指的是将晶片从环境温度快速加热至约 1000–1500 K,晶片达到该温度后会保持几秒钟,然后完成淬火。
红外线灯泡用于加热晶片,基于晶片发出的辐射,用间接传感器确定晶片的温度。
半导体工艺技术有很多,每种工艺都有其特定的优势和劣势,没有一种工艺能够满足所有的应用需求,因此,选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。常见的半导体工艺有:晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。
其中,晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺,这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺,也是最常用的工艺。
每种工艺都有其优势和劣势,没有一种工艺能够满足所有的应用需求,因此,选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的,没有哪一种工艺是最好的。
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