半导体，集成电路原理设计

1、集电极电位不相同的NPN晶体管必须放在不同的隔离区，而集电极电位相同的NPN晶体管可以放在同一个隔离区内。2、多数电阻原则上都可以放在同一个隔离区内，只要保证它们之间实现电隔离。3、基区扩散电阻两端电位不高于NPN晶体管集电极电位时，可与NPN晶体管同放一个隔离区内；基区扩散电阻两端电位不高于横向PNP晶体管基极电位时，可与横向PNP晶体管同放一个隔离区内。

根据这几条比对电路图。这个电路实际上是个反相器，或者说是交流转直流的一个东西。VI高电平时输出低电平，VI低电平时，或者为负时输出高电平。

根据那几条，可以看出Q5、Q6为一个区，其他为一个区。

仅是个人观点，对隔离区不是很了解

给你大概翻译下吧：5.1 。地表类型效力不同的清洗方法是，在很大程度上依赖于正在清洁的表面，什么是被移出地面。在晶圆制造过程大致可被分解成前端线（ feol ）和后端线（ beol ） 。该feol是侧重于制作不同的装置弥补电路和beol是侧重于互联设备。在feol清洗表面被清洗，是典型的硅（ Si ）或二氧化硅（ SiO2 ）的。在beol清洗，金属层，是目前对晶圆，并允许清洁的解决办法是有限的银两feol清洗。 表面也可能被定性为疏水性或亲水性。二氧化硅表面的亲水性。亲水性的表面很容易湿式清洗解决方案和干燥过程中的任何粒子在表面上往往留在溶液中，直到解决的办法是清除出水面。硅表面的氧化氮是疏水性。疏水表面比较难清洁，清洁的解决方案不湿以及和干燥过程中的解决方案倾向于"串珠" ，就表面留下颗粒在表面上，而是保持颗粒在溶液中。 分析方法描述弄湿，并确定其是否表面是疏水性或亲水性，是测量接触角，见图5.1 。

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