半导体工艺涂完胶为什么不能立马显影

半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示，光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺，通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶，然后进行曝光，才能显影，以对基片表面的材料做图形化处理。

半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。

经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使用一些无机溶剂（如硫酸和双氧水等），将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳，这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过，由于无机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO，CO2和H2O可以由真空系统抽走，相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。

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