在半导体工业中，有一道工序叫烧氢．烧氢的工艺流程如图所示．工作时，是将石英管D出口处氢气点燃．半导

（1）制备半导体材料应在氢气的还原性环境中进行，反应中要杜绝氧气的存在，氢气首先通过热的铜屑，以除去氢气中的氧气，涉及反应有2Cu+O2

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2CuO，CuO+H2

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Cu+H2O，最终氧气和氢气反应生成水而被除去，

故答案为：除去氧气；2Cu+O2

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2CuO；CuO+H2

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Cu+H2O；

（2）B中生成水，为防止水吸收热量而导致D中温度较低，应在C中用碱石灰或无水氯化钙吸收水，

故答案为：无水CaCl2（或碱石灰等）；吸收水蒸气；

（3）点燃氢气前将E（带导管胶塞）接在D的出口处，可由于氢气的点燃，可用于检验氢气的纯度，防止氢气不纯而爆炸，故答案为：检验氢气纯度；

（4）A是安全瓶，填装铜屑，可吸收热量，降低温度，可以防止氢气燃烧回火，引起爆炸，故答案为：大量铜屑可以吸收热量，降低温度．

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2duo，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

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