广义的讲,IC就是半导体元件产品的统称,包括:
1.集成电路(integratedcircuit,缩写:IC)
2.二,三极管.
3.特殊电子硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么
stir序列是t1也是t2。
T1是纵向的弛豫时间,T2是横向的弛豫时间。
在任何序列图像上,信号采集时刻横向的磁化矢量越大,MR信号越强。T1加权像 短TR、短TE--T1加权像,T1像特点:组织的T1越短,恢复越快,信号就越强;组织的T1越长,恢复越慢,信号就越弱。
T2加权像 长TR、长TE--T2加权像, T2像特点:组织的T2越长,恢复越慢,信号就越强;组织的T2越短,恢复越快,信号就越弱。
如果T1WI上的高信号是来自脂肪或T1值与脂肪相同的组织,应用此序列后,其信号强度降低。关于反转恢复序列,另可参阅FLAIR。
半导体晶圆表面平坦度参数之一:
TIR:(Total Indicator Reading):晶圆表面平坦度与参考平面间最高到最低的距离。
STIR: (Site Total Indicator Reading):局部TIR值,制造16mbit DRAM时,一般site尺寸为20mm× 20mm。
这种情况下,T1、T2性能完全一致,当发射极电压相同时,其集电极电流是一样的;所以,Ic1+Ib1+Ib2=IR,I=Ic2,Ic1=Ic2,那么 IR>=I;
三极管在使用中要选β高的,ICEO小的,所以这三个三极管中,应该首选T2,再选T1,最后选T3。
例如:
1、Uc1=Uc2=VCC-Rc*IcQ
IcQ=βIbQ,IbQ=IeQ/(1+β) ∴IcQ≈baiIeQ=½mA (IeQ为恒流源电流的一半)
即 Uc1=Uc2=12-(0.5*10)=7V
2、Ri=2(Rb+rbe),Ro=2Rc
△zhiUid=△IB*Ri=△IB*2(Rb+rbe)
△-Uod=△Ic*Ro=△Ic*2Rc
Ad=-△Uod/△Uid=-βRc/Rb+rbe
理想情况下Ac=0
扩展资料:
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
参考资料来源:百度百科-三极管
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