怎么半导体中测量电子的有效质量？

用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法。利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数（在准经典近似中，晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*，所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量）。

硅在空气中会氧化形成天然的氧化层的过程称为热氧化[1]。中文名热氧化硅IC成功的一个主要原因是，能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。该氧化层在MOSFET中被用做栅绝缘层，也可作为器件之间隔离的场氧化层。连接不同器件用的金属互联线可以放置在场氧化层顶部。大多数其他的半导体表面不能形成质量满足器件制造要求的氧化层。硅在空气中会氧化形成大约厚2.5nm的天然氧化层。但是，通常的氧化反应都在高温下进行，因为基本工艺需要氧气穿过已经形成的氧化层到达硅表面，然后发生反应。图1给出了氧化过程的示意图。氧气通过扩散过程穿过直接与氧化层表面相邻的凝滞气体层，然后穿过已有的氧化层到达硅表面，然后在这里与硅反应形成二氧化硅。由于该反应，表面的硅被消耗了一部分。被消耗的硅占最后形成氧化层厚度的44%[1]。

答

高于或等于1050℃炉管通入氧气或水汽自硅晶表面予氧化所谓干氧层或湿氧层干氧层 速率慢于湿氧层 比较致密

1)氧化层速率直维持恒定趋势

2)氧化层穿透先前氧化层堆积于；换言氧化所需氧气或水汽势必要穿透先前氧化层达硅质层故要更厚氧化层遇阻碍更般言少2μm厚氧化层

3)适度加入氯化氢(hcl)氧化层质较佳；容易腐蚀管路已渐少用

(4)同晶面走向晶圆言氧化速率异：相同温度、条件及间{111}厚度≥{110}厚度>{100}厚度

(5)导电性佳硅晶氧化速率较快

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