半导体物理专业翻译（中——>英）

When the thickness of oxide layer comes to microns, because of the quantum tunneling effect,current forms in gate oxide , current flows from the gate and source out.

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半导体设备技术的革新历来都与缩减设备尺寸以及引进新材料新技术相挂钩，从而使设备更优化，生产成本也随之减少。这样的趋势一定意义上促进了设备结构的更加复杂化。在许多实例中，一些新材料，诸如硅锗，高-k 介质，以及其他一些“外来”材料[1]-[3]开始用于传统硅基础技术改造。这些改造方法在对进一步对未来缩小技术节点的最新特征尺寸时能被允许，起源于90纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）的技术节点下降到最合理的16纳米以后。另一种能够改善性能的方法，就是新的如鳍状场效应晶体管（FETs）[3]一类的设备的引入，分离设备的引进也为推广FETs提供可能，从而形成CMOS波纹或垂直通道等。以上所有模式引领了决定这些设备性质的3-D效应。这也逐步使得拥有这样一套具有良好设置的模拟工具集而使研究者能够不断探索更有效方式以及推广新想法变得十分重要。

在本篇论文中,我们研究了光学邻近效应的影响在电特性Id-Vg静态噪声和边缘(6吨)体积six-transistor互补metal-oxide-semiconductor(马铁)静态随机存取记忆体(存储器)牢房里用三维过程和器件的技术应用计算机辅助设计(TCAD)的模拟。我们的分析表明,当一个6吨静态存储器单元模拟作为一个单一的连续的三维结构,有效应力减少,由于紧密的渠道和p-channel接近n-channel MOS晶体管在细胞就模拟,离散的三维结构的电晶体。此外,我们发现掺杂在通道的降低以及静态存储器晶体管亲近和植入物遮蔽。压力和兴奋剂的光学邻近效应有相反的贡献,设备性能。我们估计的影响,为典型的光学邻近效应32-nm技术对某些电气超过10% 细胞特征。于是我们得出结论说,为了准确地预测通过TCAD模拟电气细胞行为,该6吨静态存储器单元应该是一个单一的连续的三维结构,而不是一套六吗电晶体,它们是离散的三维模拟作为个体的设备通过和连接。

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