用金属和半导体接触,什么条件下,可以出现类似pn结的整流作用?

在不考虑表面态的作用下，金属与n型半导体接触，金属的功函数大于半导体的功函数，形成阻挡层，即整流作用。金属与p型半导体接触，金属的功函数小于于半导体的功函数，形成阻挡层。

但在实际情况中，表面态不可忽略，会直接影响阻挡层和反阻挡层的形成。

Schottky势垒，即肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

金属-半导体接触时，在半导体表面层内将形成势垒。Schottky曾在忽略界面态的理想情况下提出了金属-半导体接触势垒的模型，故称为Schottky势垒。1938年德国物理学家Schottky利用肖特基势垒理论即半导体内存在稳定均匀分布的空间电荷层而形成势垒，解释了金属-半导体接触非对称性的导电特性。随着肖特基接触基本理论日渐成熟，利用金属-半导体接触形成的肖特基势垒原理制作的肖特基势垒二极管研究渐渐升温。20世纪80年代后随着半导体工艺技术的发展，肖特基势垒二极管（SBD）的发展逐步走向成熟[1]。

由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。

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