我司进口的一套半导体测试机ISMECA NX16 怎么写申报要素

商品编码 9030820000 商品名称 检测半导体晶片或器件的仪器

申报要素 1:品名2:用途3:功能4:是否带记录装置5:品牌6:型号7:有无测试结果显示8:显示何种指标

法定第一单位 台 法定第二单位 无 进口关税率/低 0% 进口关税率/普 20% 出口从价关税率 0% 进口从价消费税率 0% 增值税率 17% 出口退税率 15% 海关监管条件 无 进口商品检验监管条件 无 商品描述 检测半导体晶片或器件的仪器(包括测试或检验半导体晶片或元器件用的装置

如果第7项你是有测试结果显示的，那么第8项就要注明测试结果显示的单位，不知你的半导体测试机ISMECA NX16主要测试什么用的，我在网上查了一下，大概是测晶体电压的，那第8项应该写：电压V伏特。

IGBT 一种是功率半导体器件，用于电力转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能优势，具有高耐压，大电流，低导通损耗等特点。

随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电， 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。

IGBT测试难点：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

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