(2)降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;
(3)细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
(4)均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
我的理解是在退火的过程中,本来三价P杂质与硅的化学键断裂进而与空气中的氧结合,也就是一个氧化的过程.P杂质之所以起作用,是因为其与SI结合,这样余出一个电子的空位,使得电子的流动.氧化之后的P杂质就不参与到这个过程中来,从功能的角度上讲纯化了硅片退火有很多种办法,最早的是炉退火,近年来发展了多种快速退火工艺:脉冲激光法,扫描电子束,连续波激光,非相干宽带频光源。你说的辐照应该是扫描电子束或是用红外设备吧,有退火作用。
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